GLOBALFOUNDRIES unterstreicht Führungsrolle bei 32nm/28nm Technologien

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SUNNYVALE, CA – 30. September, 2009 – Die Halbleiterindustrie steht kurz vor dem Übergang zum nächsten Technologieknoten, und GLOBALFOUNDRIES ist gut gerüstet, um die Rolle des Technologieführers im Foundry-Geschäft zu übernehmen. Auf der Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference in Santa Clara, Kalifornien, wird GLOBALFOUNDRIES neueste Informationen zu seiner Technologie-Roadmap für die 32nm/28nm-Generationen vorstellen und sein innovatives “Gate First”-Konzept präsentieren, mit dem Transistoren auf Basis der High-K Metal Gate (HKMG)-Technologie erzeugt werden.

“Mit jeder neuen Technologiegeneration stehen Halbleiter-Foundries vor der immer größer werdenden betriebswirtschaftlichen Herausforderung, Forschungs-und Entwicklungsaktivitäten zu finanzieren, um diese Technologien schnell in großen Stückzahlen fertigen zu können“, sagte Len Jelinek, Direktor und Chefanalyst, von iSuppli. „GLOBALFOUNDRIES ist hervorragend positioniert, um die nächste Generation von Foundries entscheidend zu prägen: GLOBALFOUNDRIES baut dabei auf zukunftsorientierte Investitionen in Kapazitäten und Technologien, und nutzt seine langjährige Erfahrung in der raschen und yield-starken Implementierung neuester Technologien in die Volumenfertigung. “

GLOBALFOUNDRIES geht davon aus, in der zweiten Jahreshälfte 2010 die Volumenproduktion in der 32nm-SHP (Super High Performance)-Technologie in seiner Fab 1 in Dresden aufzunehmen. Diese Technologie wird Silicon-on-Insulator (SOI)-Substrate und GLOBALFOUNDRIES’ innovatives “Gate First”-Konzept der HKMG-Technologie nutzen. Dabei wird im Vergleich zu dem alternativen „Gate Last“-Konzept die Energieeffizienz und Transistorskalierung maximiert und gleichzeitig die Chipgröße und die Komplexität des Designs minimiert. Bis zum Ende des Jahres sollen Fortschritte bei den Yield-Ergebnissen mit 24Mb SRAMs erzielt werden, die im zweistelligen Bereich liegen und bis zu 50 Prozent erreichen sollen.

“Im Vergleich zur 45nm-SHP Technologie, die wir derzeit in Fab 1 einsetzen, sehen wir Leistungsverbesserungen von bis zu 50 Prozent bei der 32 nm-Generation mit denselben Leckstromwerten wie in der 45 nm-Generation,“ sagte Jim Doran, Senior Vice President und General Manager der Fab 1 von GLOBALFOUNDRIES. „Wir sind davon überzeugt, dass wir diese Technologie für unsere Kunden industrieweit am zügigsten in hohen Stückzahlen produzieren können. Dabei stützen wir uns auf unsere patentierte Automated Precision Manufacturing (APM)-Technologie und die im Foundry-Vergleich niedrigsten Defektdichten.“

Obwohl GLOBALFOUNDRIES ein neues Unternehmen in der Foundry-Industrie ist, blickt es auf eine langjährige Erfahrung in der technologisch komplexen Produktion von Hochleistungsprozessoren zurück. Im Rahmen der Umstellung auf die 45 nm-Technologie erreichte GLOBALFOUNDRIES bereits zwei bis drei Quartale früher als die übrigen Unternehmen der Foundry-Industrie ausgereifte Yieldergebnisse für die Volumenfertigung und führte gleichzeitig die Immersionslithographie ein, eine komplexe neue Form der Lithographie. Auch hier war GLOBALFOUNDRIES der erste Halbleiterhersteller, der diese Technologie für die Fertigung in großen Stückzahlen einsetzte.

Das Unternehmen wird im ersten Quartal 2010 Kundendesigns und Produktentwicklungen von Dritten für eine kurzfristige und kostenfreundliche Prototypenproduktion in der 28 nm-Generation, die auf Bulk-Silizium-Substraten hergestellt wird, anbieten. Die Produktion ist für die zweite Jahreshälfte 2010 vorgesehen. Die 28 nm-Technologie weist mit 0.120 µm2 die kleinste SRAM-Zellengröße auf, die je in der Foundry-Industrie hergestellt wurde und im Vergleich zum “Gate Last”-Ansatz Vorteile hinsichtlich der relativen Chipgröße aufweist. Darüber hinaus vereinfacht GLOBALFOUNDRIES‘ “Gate First”-Konzept für die HKMG-Technologie die Implementierung von 28 nm-Designs. Kunden, die noch die herkömmliche Poly/SiON-basierte Technologie für die 45/40nm- und 32nm-Knoten nutzen, können aufgrund ähnlicher Prozessabläufe und Designregeln ihre IP nach wie vor nutzen.

Kunden für den 28 nm-Technologieknoten werden von der Volumenproduktion führender 32 nm-Technologie bei GLOBALFOUNDRIES insofern profitieren, als dass das Unternehmen bereits seine zweite Generation der HKMG-Technologie implementiert, wenn die 28 nm-Produktion beginnt. Der 28 nm-Knoten wird in zwei Varianten zur Verfügung stehen: die 28nm-HP (High Performance)-Version wird anspruchsvollste Anwendungen, zum Beispiel in den Bereichen Graphik, Spielkonsolen, Datenverwaltung, Netzwerkslösungen und Media Encoding optimal unterstützen. Die 28nm-SLP (Super Low Power)-Version ist auf drahtlose mobile Anwendungen wie Baseband, applikationsspezifische Prozessoren und andere Handheld-Anwendungen, die eine lange Akkulaufzeit benötigen, optimiert.

Die 32 nm- und 28nm-Technologien von GLOBALFOUNDRIES mit dem “Gate First”-Konzept für die HKMG-Technologie wurden zunächst im Rahmen der IBM Technologie- Allianz entwickelt. IBM und seine Forschungspartner stellten die forschungsintensive “Gate First” HKMG-Innovation erstmals 2007 vor. Sie gilt als eine Verbesserung des Transistors, um Leckströme besser steuern zu können, die mit dem 45 nm-Technologieknoten auftraten.