Samsung bringt High-Speed 512GB SSD mit neuem Toggle-Mode DDR-NAND-Memory auf den Markt

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 17. Juni 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei

modernsten Halbleitertechnologielösungen, stellt das erste
halbleiterbasierte Festplattenlaufwerk (Solid State Drive, SSD) mit
High-Performance Toggle-Mode DDR-NAND-Memory vor. Das neue SSD verfügt über
eine Speicherkapazität von 512Gigabyte (GB) und ermöglicht Entwicklern die
Realisierung von Datenverarbeitungsanwendungen, darunter Notebooks der
Premium-Klasse, mit hoher Performance und Zuverlässigkeit.

“Die äußerst innovativen Leistungsmerkmale und Eigenschaften unseres neuen
512GB SSD sind unmittelbare Ergebnisse einer ehrgeizigen Strategie, mit der
wir die Entwicklung unserer NAND-Flash-Technologie, unserer SSD-Controller
und der zugehörigen SSD-Firmware vorantreiben,” sagt Dong-Soo Jun,
Executive Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics. “Die
frühzeitige Markteinführung dieser State-of-the-Art Toggle DDR-Lösung
versetzt uns in die Lage, eine bedeutende Rolle spielen zu können, wenn es
um die schnelle Marktakzeptanz des neuen Trends hin zur High-End
SSD-Technologie geht,” ergänzt Dong-Soo Jun.

Das neue 512GB SSD nutzt auf der 30 Nanometer (nm) Klasse basierende 32
Gigabit Chips, die seit November 2009 in Serie hergestellt werden. Die
Toggle-Mode DDR-Struktur in Verbindung mit der SATA 3,0GBit/s Schnittstelle
erreicht eine maximale sequentielle Lesegeschwindigkeit von 250MByte/s
(MBps) und eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von 220MBps. Beide
Spezifikationen übertreffen die Leistungsfähigkeit herkömmlicher
Festplattenlaufwerke um den Faktor 3. Bei diesen Geschwindigkeiten lassen
sich zwei DVD-Filme mit Standardlänge (jeweils etwa 4GB) in nur einer
Minute speichern.

Auch im Hinblick auf die Leistungseffizienz bietet Samsung beachtliche
Vorteile. So hat das Unternehmen speziell für das neue Toggle-Mode DDR-NAND
einen Low-Power-Controller entwickelt. Die resultierende
“Power-Throttling”-Fähigkeit ermöglicht die hohen Performance-Werte des
Laufwerks. Dabei bleibt der Leistungsverbrauch gegenüber 256GB SSDs, die in
40nm-Class hergestellt werden und auf 16Gb NANDs basieren, konstant.
Darüber hinaus analysiert der Controller die Häufigkeit der Nutzung und die
Präferenzen des Anwenders, um automatisch in einen Stromspar-Betrieb
umzuschalten. Auf diese Art lässt sich die Batterielaufzeit eines Notebooks
um eine Stunde oder mehr verlängern.

Das Samsung 512GB SSD nutzt eine verbesserte 256bit AES (Advanced
Encryption Standard) Verschlüsselung für erhöhte Sicherheit. Mit dem AES
lassen sich persönliche Daten vor Angreifern aus dem Netz oder vor
unerwünschten Zugriffen bei Verlust oder Diebstahl des PCs schützen.

Samsung ermöglicht mit seinem neuen SSD auch verkürzte Boot-Zeiten und
schnellere Applikationszugriffe. So wird gegenüber HDDs eine etwa neunfache
Leistungssteigerung erreicht. Außerdem optimiert eine intelligente
Operation-Management-Funktion das Arbeiten der SSDs im Hintergrund. In
Kombination mit dem beliebten Windows 7 TRIM Leistungsmerkmal sichert die
Operation-Management-Funktion die Zuverlässigkeit des Laufwerks im
Schreib-Mode.

Samsung plant den Beginn der Massenproduktion des 512GB SSD nächsten Monat.
Die neue Speicherkapazität erweitert Samsungs SSD-Angebot von 64GB bis
512GB.