Samsung startet Massenproduktion von in 30nm-Class-Prozesstechnologie gefertigten 32 Gigabyte Speichermodulen für „Grüne“ IT-Systeme

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 31. Mai 2011 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, hat als industrieweit erstes Unternehmen mit der Massenproduktion von Modulen mit 32 Gigabyte (GB) Speicherkapazität in 30 Nanometer (nm) Class* Technologie begonnen. Die neuen Speichermodule enthalten 4 Gigabit (Gb) DDR3 DRAM-Chips und sind wesentliche Komponenten für Cloud-Computing und fortschrittliche Server-Systeme.

„Mit diesen Modulen sichern wir uns im Hinblick auf Produkt sowie Anwendungen die höchste Wettbewerbsfähigkeit auf dem DRAM-Markt für PCs, Server und Mobile Geräte,“ sagte Wanhoon Hong, Executive Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. „Außerdem planen wir, unsere Kunden in der zweiten Hälfte des Jahres mit noch energieeffizienteren 4Gb DDR3 DRAMs basierend auf 20nm-Class* Prozesstechnologie zu beliefern. Damit wird sich der rasch wachsende Markt für „Grüne“ IT-Speicherlösungen beachtlich erweitern. Darüber hinaus beabsichtigen wir, unseren Kunden die „Grünsten“ Speicherprodukte mit optimaler Leistungsfähigkeit bereitzustellen.“

Samsungs 30nm-Class 4Gb DDR3-Chip bietet etwa 50 Prozent mehr Produktivität als 4Gb DDR3 in 40nm-Class-Prozesstechnologie. Daher wird für die 30nm-Class-Produkte eine sehr schnelle Marktdurchdringung erwartet.

Mit der Produktion von monolithischen 4Gb DDR3 DRAM-Chips in 30nm-Class-Technologie hat Samsung im Februar begonnen – nur ein Jahr nach dem Produktionsstart von 4Gb DDR3 DRAMs im 40nm-Class-Prozess. Nur zwei Monate später hat das Unternehmen mit der Auslieferung von 16GB-Modulen an eine beachtliche Zahl von Serversystemherstellern angefangen.

Mit seinem neuen 32GB RDIMM (Registered Dual Inline Memory Modul) und einem 8GB SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Modul) – beide wurden diesen Monat in das Portfolio aufgenommen – hat Samsung seine Produktlinie von 4Gb Green DDR3-basierten Lösungen in 30nm-Class-Technologie komplettiert.

Mit der Bereitstellung seiner neuen DDR3-Module kurz nach der Verfügbarkeit von 30nm-Class 4Gb LPDDR2 DRAM unterstützt Samsung jetzt den Bedarf des gesamten Marktes an 30nm-Class DRAM-Lösungen für Mobilgeräte bis hin zu Enterprise Serversystemen.

Samsungs neues, für 1,35V ausgelegtes 32GB RDIMM arbeitet mit bis zu 1.866 Megabit pro Sekunde (Mbps) und übertrifft somit 1.333 Mbps schnelle, für 1,5V ausgelegte 40nm-Class 32GB RDIMMs um 40 Prozent. Zugleich kommt das neue 32GB RDIMM mit 18 Prozent weniger Energie aus. Das 40nm-Class 32GB RDIMM hat auf der Internationalen Consumer Electronics Show (CES) 2011 einen Eco-Design Award erhalten. Außerdem verarbeitet die neue 8GB SO-DIMM-Version bei 1,5V Versorgungsspannung Daten mit bis zu 2.133Mbps.

Samsung geht davon aus, dass 2012 über zehn Prozent seiner gesamten DRAM-Chip-Fertigung aus Produkten mit Kapazitäten von 4Gb (oder mehr) bestehen wird.

IHS erwartet, dass 4Gb DRAMs im Jahr 2012 etwa zehn Prozent der gesamten DRAM-Auslieferungen ausmachen. 2013 soll dieser Anteil auf 35 Prozent und 2014 auf 57 Prozent steigen.

In der Zwischenzeit will Samsung das Bewusstsein der weltweiten IT-Branche für seine „Green-Memory“-Programme und sein „Creating-Shared-Value“ (CSV) Konzept steigern. Zu diesem Zweck sucht Samsung die Zusammenarbeit mit CIOs globaler Unternehmen hinsichtlich einer höheren Energieeeffizienz.