Samsung Electronics präsentiert Technologie-Durchbrüche auf den Symposien 2004 für VLSI-Technologie und -Schaltkreise

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts., Deutschland, 17. Juni, 2004 – Samsung Electronics, der

weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleitertechnologien,
päsentiert eine große Anzahl von grundlegenden Technologien der nächsten
Generation auf den Symposien für VLSI-Technologie und -Schaltkreise, die in
Honolulu vom 15. bis 19. Juni stattfinden. Insgesamt wurden 22 Beiträge von
Samsung ausgewählt zu so vielseitigen Themen wie – 50 Nanometer (nm) und
kleiner – Transistor-Prozesstechnologie der nächsten Generation, – Neue
Kupfer-Verbindungstechnologie durch Einführung von Ruthenium (Ru) als neues
Material, – 70 nm NOR-Flash- und Low-Power-DRAM-Technologie, –
64Mb -Phase-change (PRAM) mit hoher Speicherkapazität und weitere.

Samsung präsentiert seine Entwicklung einer dreidimensionalen
Transistor-Prozesstechnologie für 50nm-Geometrien – und kleiner- , die die
Chipfläche auf ein Viertel der heute üblichen Abmessungen von Speicherchips
reduziert. Dieser Beitrag zieht den ursprünglich für 2007 geplanten
Einführungszeitpunkt der sogenannten „dreidimensionalen
Transistortechnologie“, vor.

Weitere Speichertechnologien der nächsten Generation wurden vorgestellt; in
Fortführung der letztjährigen Vorstellung stellte Samsung ein 64Mb PRAM mit
hoher Speicherkapazität und eine 70nm Prozesstechnologie sowohl für die
NOR-FLASH- als auch für die Low-Power-DRAM-Technologie vor.

Samsung’s Anteil der System-LSI-Manuskriptbeiträge steigt ständig. Von
insgesamt 22 ausgewählten Samsung-Manuskripten sind acht dem Bereich
System-LSI zuzuordnen. Samsung präsentierte mit Ruthenium ein neues Material
als Haftmittel zur Verbesserung der Kupfer-Verbindungstechnologie, das als
Keimschicht eine stabile chemische Abscheidung aus der Dampfphase (CVD –
Chemical Vapor Deposition) sicherstellt.

Ein weiterer Beitrag zeigt, dass das Unternehmen die LONOM (Localized
Oxide-Nitride-Oxide Memory)-Technologie für Logik-eingebettete
FLASH-Speicher vorantreibt. Dies stellt einen neuen Ansatz dar, um die
Höhendifferenz zwischen der Logik-Seite und der Speicher-Seite eines
eingebetteten Bauteils auszugleichen. Die komplizierten Prozessschritte
werden hierbei vereinfacht, darüber hinaus wird die Geschwindigkeit
verbessert, der Stromverbrauch und die Produktionskosten gesenkt, so dass
eine ökonomischere Lösung für ein höheres Umsatzpotential bereitgestellt
wird.

Einen bemerkenswerter Ansatz im Bereich System-LSI stellt Samsung mit einem
neuen Konzept für die Behandlung von „mechanischem Stress“ vor. In dem
Beitrag wird der Effekt von Flickering Noise“ erläutert.

Neben dem International Electron Device Meeting (IEDM) und der International
Solid State Circuit Conference (ISSCC) zählen die Symposien für
VLSI-Technologie und -Schaltkreise zu den weltweit renommiertesten
Halbleiter-Konferenzen auf akademischen Niveau. Die Veranstaltung wurde
erstmals 1981 unter gemeinsamer US-japanischer Schirmherrschaft organisiert
und findet jedes Jahr im Juni abwechselnd in Honolulu und Kyoto statt.

Die weltweit führenden Halbleiterhersteller reichen jedes Jahr hunderte
akademischer Manuskripte zum Vortrag ein. Die Unterlagen werden nach
strengen Kriterien geprüft, bevor sie schließlich ausgewählt werden. Die
sogenannte „Highlight Session“ präsentiert die besten Beiträge des Jahres
und unterstreicht damit die Technologie- und Produktions-Expertise des
jeweiligen Unternehmens.

Samsung Semiconductor Europe GmbH