Samsung beginnt Massenproduktion erster NAND-Flash-Speicher in 20nm-class-Technologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 19. April 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer

bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Massenproduktion
der industrieweit ersten NAND-Flash-Speicher in einer Prozesstechnologie
mit Strukturen innerhalb der 20 Nanometer (nm)-Klasse begonnen. Die neuen
Flash-Speicher eignen sich für den Einsatz in SD-Speicherkarten (Secure
Digital) sowie für Embedded-Memory-Lösungen. Auf der Basis dieser
Spitzentechnologie wird Samsung mit der Markteinführung von MLC
NAND-Speichern mit 32 Gigabit (Gb) sein Spektrum an Speicherkartenlösungen
für Smart Phones, anspruchsvollste IT-Anwendungen und High-Performance
Speicherkarten erweitern.

Mr. Soo-In Cho, President, Memory Division, Samsung Electronics, sagt: „In
nur einem Jahr nach dem Produktionsstart von 30nm-classNAND-Chips können
wir den Kunden heute NAND-Flash-Speicher der nächsten Generation mit
Halbleiterstrukturen der 20nm-Klasse anbieten. Damit übertreffen wir die
Anforderungen der meisten Anwender hinsichtlich leistungsfähiger,
NAND-basierter Lösungen mit hoher Speicherkapazität.“ Soo-In Cho ergänzt:
„Unsere neuen 20nm-classNAND-Flash-Chips repräsentieren einen wesentlichen
Schritt in der Prozessentwicklung und enthalten darüber hinaus innovative
Technologien für eine bedeutende Leistungssteigerung.“

Samsungs 20nm-class-MLC-NAND-Chips bieten gegenüber bisherigen
30nm-class-Versionen eine Produktivitätssteigerung von 50 Prozent. Die
Schreibgeschwindigkeit einer SD-Karte, die 20nm-class-Flash-Speicherchips
enthält und über 8 Gigabyte (GB) oder mehr Speicherplatz verfügt, ist 30
Mal höher als bei 30nm-class-NAND-Flash-Speichern. Außerdem wird eine
Geschwindigkeitsklasse von 10 erreicht (Lesegeschwindigkeit 20MB/s,
Schreibgeschwindigkeit 10MB/s). Durch den Einsatz innovativster Prozess-,
Entwicklungs- und Controller-Technologie hat Samsung ferner
Zuverlässigkeitseigenschaften erreicht, die mit denen von
30nm-class-NAND-Flash-Speichern vergleichbar sind.

Samsung Electronics hat im März 2009 mit der Massenproduktion von
32Gb-NAND-Speichern in einer 30nm-class-Prozesstechnologie begonnen. Heute
beliefert das Unternehmen Kunden mit Mustern von SD-Karten, die
32Gb-NAND-Chips in einer 20nm-class-Technologie enthalten. Die Produktion
von 32Gb-NAND-Chips soll zu einem späteren Zeitpunkt des Jahres weiter
ausgebaut werden.

Speicherkarten mit 20nm-class-Speicherchips werden mit Kapazitäten von 4GB
bis 64GB angeboten.

Samsungs zeitnahe Markteinführung seiner High-Performance NAND-Chips der
Premium-Klasse wird die steigenden Speicheranforderungen von High-Density
Smart Phones, anspruchsvollsten IT-Applikationen und leistungsfähigen
Speicherkarten noch besser als bisher unterstützen.