Forschung trifft Industrie: Mikroelektronik-Cluster stellt Transferfähigkeit unter Beweis

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Dresden, 6. Juli 2012 – „Die Mikro- und Nanoelektronik ist eine der Schlüsseltechnologien für die weitere wirtschaftliche Entwicklung Sachsens, Deutschlands und Europas. Aus der exzellenten Wissenschaftslandschaft und vielen erfolgreichen Unternehmen hat sich im Silicon Saxony ein führender europäischer Cluster der Mikroelektronik entwickelt. Als Wissenschafts- und Technologieministerin sind mir die Kooperation der hiesigen Hochschulen und außeruniversitären Forschungseinrichtungen mit Unternehmen sowie der Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Wirtschaft besonders wichtig. Deshalb freue ich mich, dass unser Workshop zur 28nm-Technologie gemeinsam mit Globalfoundries erfolgreich verlaufen ist. Wir haben damit einen wichtigen Anstoß gegeben, um den Mikroelektronikstandort Sachsen weiter zu stärken und zu einer ersten Adresse bei der Fertigung von Halbleiterprodukten auf Basis des 28nm-Technologieknotens zu entwickeln“, sagte heute die Sächsische Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer in Dresden.

Kürzlich hatten sich auf Einladung des Sächsischen Staatsministeriums für Wissenschaft und Kunst und Europas modernstem Halbleiterwerk Fab 1 etwa 60 Forscherinnen und Forscher des wichtigsten europäischen Hightech-Clusters „Silicon Saxony“ zu einem Workshop bei GLOBALFOUNDRIES in Dresden getroffen, um sich über Herausforderungen für Forschung und Entwicklung bei der Einführung der 28nm-Technologie auszutauschen.

Die Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler aus universitären und außeruniversitären Forschungseinrichtungen befassten sich gemeinsam mit den Gastgebern mit neusten Transistorarchitekturen, der Weiterentwicklung der Fertigungs- und Automatisierungsprozesse sowie neuen Ansätzen im Chip-Design und der Designautomatisierung (EDA). Aus den kompetenten Fachbeiträgen entstanden lebhafte Diskussionen, die nun in bilateralen Gesprächen zwischen den Wissenschaftlern und ihren Dresdner Kollegen aus der Industrie vertieft werden sollen.

Neben Einrichtungen, mit denen GLOBALFOUNDRIES bereits seit vielen Jahren eng zusammenarbeitet, beteiligten sich erstmals auch sächsische Forschungsinstitute, die bislang noch keinen direkten Bezug zum global tätigen Foundry-Unternehmen hatten. Nicht wenige davon überzeugten auf Anhieb mit ihrer großen Kompetenz.

„Die hochkarätige Besetzung des Workshops zeigt, dass der sächsische Mikroelektronik-Cluster zu Recht an der Weltspitze mitspielt. Neben den bestehenden langjährigen Forschungskooperationen freuen wir uns besonders, dass wir in diesem Workshop auch neue Partner identifizieren konnten“, betonte Rutger Wijburg, Geschäftsführer von GLOBALFOUNDRIES Fab 1. „Die gemeinsamen Diskussionen haben geholfen, den Blick auf Themen rund um die aktuellsten Halbleitertechnologien zu schärfen.“

Über die 28nm-Technologie:
Forschung und Industrie gehen derzeit davon aus, dass die 28nm Technologie eine der langlebigsten Technologien in der Geschichte der Halbleiterindustrie werden. Dafür gibt es mehrere Gründe: Dieser Knoten kann noch mit vertretbarem Aufwand mit der heute aktuellen 193nm Immersionslithographie bearbeitet werden. Damit können Vorteile in der weiteren Verkleinerung und dem damit verbundenen Gewinn an Leistungsfähigkeit der Transistoren noch voll in geringere Kosten pro Einheit umgesetzt werden. Das funktioniert bei der 20/22nm Technologie so nicht mehr. Um mit den konventionellen Methoden weiterarbeiten zu können, bedarf es in vielen Ebenen einer Mehrfachstrukturierung, die die Kosten pro Ebene emporschnellen lässt, so dass der Skalierungs- und Leistungsgewinn wegen der Mehrkosten nicht mehr ausgeglichen wird. Darüber hinaus bietet der 28nm Knoten auf Hochfrequenz-Anwendungen, wodurch mehrere unterschiedliche Funktionalitäten auf einem Chip integriert werden können (More than Moore). Es wird erwartet, der 28nm Knoten in Zukunft mit weiteren eingebetteten Lösungen kombiniert und dadurch stark diversifiziert wird.
Zum Vergleich: auf den Durchmesser eines Haares passen rund 1500 Transistoren mit einer Gatelänge von 28nm.