Eschborn, 28. September 2010 – Samsung Semiconductor GmbH, eine hundertprozentige Tochter der Samsung Electronics Co. Ltd., kündigt an, dass die Spinpoint F4EG mit der weltweit höchsten Datendichte von 667 GB pro Platter...
28.09.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
TAIPEI, Taiwan, 7. September 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter modernster Halbleitertechnologielösungen, stellt seinen neuen, mit 1GHz getakteten und auf dem ARM® CORTEXTM A9 basierten Dual-Core-Applikationsprozessor mit dem...
28.09.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
TAIPEI, Taiwan, September 7, 2010 – Samsung Electronics Co., Ltd., a world leader in advanced semiconductor solutions, today introduced its new 1GHz ARM® CORTEXTM A9-based dual-core application processor, codenamed Orion, for advanced...
07.09.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
SEOUL, Korea, 2. September 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter modernster Halbleitertechnologielösungen, stellt unter der Bezeichnung S3C2680/S5M8311 seine neueste Wireless USB-Lösung (Universal Serial Bus) mit UWB-Technologie (Ultra Wide...
02.09.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
Eschborn, 3. August 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führendes Unternehmen in digitaler Unterhaltungselektronik und Informationstechnologie, kündigt heute mit der Spinpoint F4EG sein neues EcoGreen™ Modell mit der weltweit höchsten...
03.08.2010
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Schwalbach/Ts., 23. Juli 2010 – Einfach praktisch: Samsung Mobile Computing liefert mit dem neuen Slim DVD-Brenner die perfekte Gesamtlösung für erfolgreiches Arbeiten mit Note- und Netbook. Besonders auf Reisen sind externe, kompakte...
23.07.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
SEOUL, Korea, June 29, 2010 – Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, announced today that it has developed the industry’s first 32 gigabyte (GB) load-reduced, dual-inline memory...
29.06.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
SEOUL, Korea, 17. Juni 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, stellt das erste halbleiterbasierte Festplattenlaufwerk (Solid State Drive, SSD) mit High-Performance Toggle-Mode DDR-NAND-Memory vor. Das neue SSD verfügt...
17.06.2010
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Seoul, Korea, 11. Juni 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Halbleitergeschäft, gibt bekannt, dass sein Geschäftsbereich, Samsung Foundry, einen 32 Nanometer (nm) Low-Power (LP) Prozess mit High-k Metal Gate (HKMG)*...
11.06.2010
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Schwalbach/Ts., 26. Mai 2010 – Schlank und leicht präsentieren sich die neuen LED Large-Format-Displays der EX(n)-Serie von Samsung. Die innovativen Displays liefern brillante Bilder mit einem starken Kontrast und sparen bis zu...
26.05.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
Schwalbach/Ts., 11. Mai 2010 – Schick an der Wand und leicht zu bedienen – die neuen digitalen Premium-Modelle SPF-800W und SPF-1000W. Durch den praktischen Wandhänger lässt sich der schwarz oder weiß glänzende...
11.05.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
SEOUL, Korea, May 6, 2010 – Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology solutions, today announced availability of an eight gigabit (Gb) OneNAND chip that takes advantage of...
06.05.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
SEOUL, Korea, 28. April 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Auslieferung der industrieweit ersten Multi-Chip-Packages (MCPs) mit 512 Megabit PRAM (Phase-Change Random Access Memory) begonnen....
30.04.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
SEOUL, Korea, April 28, 2010 – Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology solutions, today announced the industry’s first multi-chip package (MCP) with PRAM – for use in...
29.04.2010
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SEOUL, Korea, 19. April 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten NAND-Flash-Speicher in einer Prozesstechnologie mit Strukturen innerhalb der 20 Nanometer (nm)-Klasse...
22.04.2010
PressemitteilungenSchlagwörter:Samsung
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