IBM hat es geschafft, DRAM in SOI-Chips (Silicon on Insulator) zu
Beim SOI-Verfahren wird eine dünne Sauerstoff-Lage als Isolationsschicht unter die Oberfläche der Silizium-Wafer gebracht. Durch die Isolationsschicht wird eine Art dünner Kanal erzeugt, bei dem die elektrischen Impulse mit sehr geringer “Reibung” durch die Leiterbahnen transportiert wird.
Man erhöht somit die Geschwindigkeit und natürlich wird der Strombedarf dadurch auch verringert.
Quelle: Tom's Hardware
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