Elpida: Stromsparender Speicher

''Super Self Refresh'' Technik: geringere Stromaufnahme von DDR SDRAM

Der japanische Speicherhersteller Elpida hat stromsparende DRAM-Chips vorgestellt. Diese sollen die Batterielaufzeit von Notebooks und anderen mobilen Geräten erhöhen. Die ersten Muster von 256 Mbit DDR SDRAM Bausteinen mit dieser Technologie wurden bereits ausgeliefert. Chips mit einer Kapazität von 512 Mbit sollen folgen. Der Start der Massenproduktion ist für März geplant.

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Die sogenannte “Super Self Refresh“ (SSR) Technologie soll den zur Datenerhaltung in den Speicherchips notwendigen Strom laut Elpida um 95% reduzieren.

Für SSR wird der insbesondere bei Server-Speichern eingesetzte “Error Correction Circuit“ (ECC) verwendet. Dieser überprüft und korrigiert gegebenenfalls die Daten während des regelmäßigen Refresh des Speicher. Die SSR Funktion ersetzt diesen bei konventionellen DRAM üblichen Refresh. Dabei kommt ein Temperatursensor auf dem Chip zum Einsatz. Mit diesem sogenannten “Auto Temperature Compensated Self Refresh“ (ATCSR) wird der Refresh-Zyklus nun abhängig von der Temperatur verlängert und damit unnötiger Refresh-Strom eingespart. Dabei entspricht der SSR-Speicher weiterhin dem Industriestandard für DDR SDRAM und besitzt auch die übliche Spannung von 2,5 Volt.
Außerdem soll der als DDR400 SDRAM angebotene SSR-Speicher von Elpida trotz der längeren Refresh-Pausen die gleiche Leistungsfähigkeit wie herkömmliches DDR400 SDRAM bieten. Elpida bietet die in 110nm Technologie gefertigten DRAM-Bausteine auch mit schnellen Timings wie einer CAS Latency von 2.0 an.
Preise sind derzeit noch nicht bekannt. Da DRAM-Bausteine mit ECC schon deutlich teurer sind als konventionelles DDR400 SDRAM, dürften die Elpida SSR-Speicherchips aber nicht billig werden.

Quelle: Elpida

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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