Samsung hat heute einen ersten Prototypen seines neuen Speichers vorgestellt: “Phase-change RAM” oder kurz “PRAM” heißt der neue Speicher, welcher laut Samsung NOR-Flash innerhalb der nächsten zehn Jahre ersetzen soll. Die neue Technologie kombiniert laut Samsung sowohl Vorteile von Flash-Speicher als auch von aktuellem RAM. So ist er überaus schnell und deutlich besser skalierbar als aktuelle Formate.
Die hohen Geschwindigkeiten sollen vor allem daher erreicht werden, weil neue Daten geschrieben werden können, ohne dass vorher gespeicherte Daten gelöscht werden müssten.
Der gezeigte Prototyp hat eine Kapazität von 512 Mbit. Samsung sieht mögliche Einsatzbereiche in erster Linie im Mobilfunkbereich und auch in anderen bereichen mobiler Technik. Wann der Speicher erstmals erhältlich sein wird und wie die Preisgestaltung aussehen wird, ist bislang noch nicht bekannt.
Quelle: Golem
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