Samsung startet PRAM Produktion

Schneller nichtflüchtiger Speicher für mobile Geräte

Samsung gab auf dem „Samsung Mobile Solutions Forum“ in Taipeh bekannt, dass man mit der Massenproduktion von PRAM (Phase Change Random Access Memory) begonnen hat. Die Fertigungsgröße der 512 Megabit Bausteine beträgt 60 Nanometer. Die nichtflüchtige PRAM-Speichertechnologie zeichnet sich vor allem durch eine hohe Performance und einen niedrigen Energieverbrauch aus. Besonders im mobilen Bereich sieht Samsung hohes Potenzial für die neue Technologie. Ein Handy soll beim Einsatz von PRAM eine rund 20 Prozent längere Laufzeit aufweisen.

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Quelle: Pressemitteilung

Tobias Rieder

Arbeitet seit September 2008 als freier Redakteur für Hartware.net. Nebenbei betreibt er seine beiden Blogs Antary und SSDblog.

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