Details zu Intels neuen SSDs

Postville Refresh und Lyndonville im ersten Quartal 2011

Es sind neue Informationen zu Intels dritter SSD-Generation aufgetaucht. Beide Serien für Mainstream- und Enterprise-Kunden werden unter den bisherigen Namen X25-M bzw. X25-E weitergeführt. Die entsprechenden Codenamen lauten Postville Refresh und Lyndonville. Ein genauer Erscheinungstermin ist weiterhin unbekannt, man geht aber vom ersten Quartal 2011 aus. Intel müsse noch ein wenig an der Produktionsqualität des neuen 25-nm-Flashspeichers arbeiten.

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Intel Mainstream-SSDs im Vergleich:

Intel X25-M G2 (34 nm) Intel X25-M G3 (25 nm)
Codename Postville Postville Refresh
Kapazität 80 / 160 GB 80 / 160 / 300 / 600 GB
NAND IMFT 34 nm MLC IMFT 25 nm MLC
Seq. Lesen / Schreiben bis zu 250 / 100 MB/s bis zu 250 / 170 MB/s
Random 4 KB Lesen bis zu 35.000 IOPS bis zu 50.000 IOPS
Random 4 KB Schreiben bis zu 8.600 IOPS bis zu 40.000 IOPS
Max. Leistungsaufnahme Active: 3 W
Idle: 0,06 W
Active: 6 W
Idle: 0,075 W
Lebensdauer (4 KB Writes) 7,5 – 15 TB 30 – 60 TB
Power Safe Write Cache Nein Ja
Formfaktor 1,8 und 2,5 Zoll 1,8 und 2,5 Zoll
Verschlüsselung ATA-Passwort ATA-Passwort und AES-128

Auf den ersten Blick erkennt man, dass die neue Generation deutlich leistungsfähiger als ihr Vorgänger ist. Die sequenziellen Transferraten beim Schreiben konnten von 100 auf 170 MByte/s erhöht werden, die Leseraten blieben jedoch gleich. Allerdings sollen die IOPS beim Lesen und Schreiben von 4 KByte großen Dateien von 35.000 bzw. 8.600 auf 50.000 bzw. 40.000 deutlich gesteigert worden sein. Auch die Lebensdauer der Flashzellen will Intel mit rund 30 bis 60 TByte vervierfacht haben. Ein weiteres neues Feature ist die vollständige Verschlüsselung der Daten mit AES-128. Weniger erfreulich ist die höhere Leistungsaufnahme der Postville Refresh. Vor allem unter Last soll sie mit rund 6 Watt doppelt so hoch wie bei den bisherigen Modellen liegen.

Intel Enterprise-SSDs im Vergleich:

Intel X25-E (50 nm) Intel X25-E (25 nm)
Codename Ephraim Lyndonville
Kapazität 32 / 64 GB 100 / 200 / 400 GB
NAND IMFT 50 nm SLC IMFT 25 nm eMLC
Seq. Lesen / Schreiben bis zu 250 / 170 MB/s bis zu 250 / 200 MB/s
Random 4 KB Lesen bis zu 35.000 IOPS bis zu 50.000 IOPS
Random 4 KB Schreiben bis zu 3.300 IOPS bis zu 5.000 IOPS
Max. Leistungsaufnahme Active: 3 W
Idle: 0,06 W
Active: 5 W
Idle: 0,095 W
Lebensdauer (4 KB Writes) 32 GB: 1 PB
64 GB: 2 PB
100 GB: 900 TB – 1 PB
200 GB: 1 – 2 PB
400 GB: 1,4 PB
Power Safe Write Cache Nein Ja
Formfaktor 2,5 Zoll 2,5 Zoll
Verschlüsselung ATA-Passwort ATA-Passwort und AES-128

Intel verabschiedet sich bei der nächsten X25-E vom teuren SLC-Speicher und setzt stattdessen auf eMLC. Im Vergleich zu normalem MLC-Speicher soll die modifizierte Variante eine deutlich längere Lebensdauer besitzen. Intel gibt hier 900 TByte bis 2 PByte an. Wie bei den Mainstream-SSDs wurde die sequenzielle Schreibrate erhöht. Auch die IOPS steigen deutlich an, sind dabei aber nicht mit den Werten der Mainstream-Laufwerke vergleichbar, da Intel diese mit anderen Methoden testet. Natürlich wird man auch bei Lyndonville AES-128-Verschlüsselung anbieten. Die Verlustleistung ist ebenfalls höher als bei der Vorgängergeneration.

Quelle: Anandtech

Tobias Rieder

Arbeitet seit September 2008 als freier Redakteur für Hartware.net. Nebenbei betreibt er seine beiden Blogs Antary und SSDblog.

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