DDR-Speichermodul mit 4 GB

Hauptspeicher kann man auch als sogenannter “Power-User“ nie genug haben, aber DDR SDRAM Speichermodule mit einer Kapazität von enormen 4 Gigabyte sind dann doch eher was für Server, Workstations und Supercomputer. Genau solche Module hat Samsung Electronics heute vorgestellt. Das 4-GB-DDR-DIMM basiert auf 1-Gbit-Speicherchips, die schon in 100nm (0,10µ) Technologie gefertigt werden. Die im letzten Jahr angekündigten Module mit Speicherdichten von bis zu 2 GB waren noch auf 512-Mbit-Bausteinen aufgebaut.

Die jetzt verwendeten 1-Gbit-Chips bieten Datenübertragungsraten von 266 und 333 Mbit/s (DDR266 = 133MHz Speicherbus; DDR333 = 166MHz Speicherbus) und sollen in der zweiten Jahreshälfte in die Massenproduktion gehen. Aufgrund der eher professionellen Zielrichtung dürften die dann erhältlichen Module alle mit ECC-Technik (Fehlerkorrektur) versehen sein.
Weitere Informationen entnehmt bitte der Pressemitteilung.

Quelle: E-Mail