AMD und IBM erzielen Durchbruch in der Halbleiterfertigung

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Sunnyvale, CA / East Fishkill, NY, 13. Dezember 2004 – AMD und IBM haben heute die gemeinsame Entwicklung der neuen Strained-Silicon-Transistortechnologie angekündigt. Damit ist es möglich, die Leistungsfähigkeit von Prozessoren zu steigern sowie die Stromaufnahme zu optimieren. Verglichen mit herkömmlich gefertigten Transistoren bietet der neue Fertigungsprozess eine um bis zu 24 Prozent gesteigerte Geschwindigkeit der Transistoren bei gleicher Leistungsaufnahme.

Schnellere und effizientere Transistoren sind die Basis für
leistungsfähigere Prozessoren mit geringer Stromaufnahme.
Zwar arbeiten kleinere Transistoren schneller, bergen aber
das Risiko, dass sie aufgrund von Leckströmen oder
uneffizienten Schaltvorgängen, eine höhere Leistung
aufnehmen und damit unerwünschte Wärme erzeugen. Das
kürzlich von AMD und IBM entwickelte „Strained Silicon“ hilft,
diese Hürden zu überwinden. AMD und IBM sind die ersten
Unternehmen, die Strained-Silicon in Kombination mit der
Silicon-on-Insulator-Technologie vorstellen, was zu weiteren
Verbesserungen in puncto Leistungsfähigkeit und Stromaufnahme
führt.

Der neue Strained-Silicon-Prozess, genannt „Dual Stress
Liner“, verbessert die Leistung sowohl von n-Kanal- als auch
p-Kanal-Transistoren, indem die Siliziumatome in einem
Transistor gestreckt und im anderen komprimiert werden.
Die Dual-Stress-Liner-Technik benötigt keine
kostenintensiven und kritischen neuen Fertigungstechniken,
so dass sie schnell in die Massenproduktion auf Standard-
Produktionsanlagen mit üblichen Materialen zu überführen
ist.

„Mit optimierten Lösungen wie dem Strained-Silicon-
Verfahren sind wir in der Lage, unserern Kunden einen
Mehrwert zu bieten“, erklärt Dirk Meyer, Executive Vice
President, Computation Products Group bei AMD. „Unser
gemeinsamer Fortschritt in der Entwicklung innovativer
Silizium-Technologien erlaubt es AMD heute, die beste
Leistung pro Watt bereitzustellen.“

AMD beabsichtigt die neue Strained-Silicon-Technologie
schrittweise bei der Produktion aller seiner 90-Nanometer-
Prozessoren einzuführen, einschließlich der künftigen AMD64
Multi-Core-Produkte. Die Auslieferung der ersten 90-
Nanometer-AMD64 Prozessoren, die diese neue Technologie
verwenden, ist für die erste Jahreshälfte 2005 geplant.

IBM plant ebenfalls ab der ersten Jahreshälfte 2005, Strained
Silicon auf mehreren 90-Nanometer-Prozessorplattformen zu
verwenden, einschließlich der Chips, die auf der PowerPCArchitektur
basieren.

„Dieser Durchbruch bei der Entwicklung von Strained-Silicon
ist das Ergebnis unserer gemeinsamen Forschungsallianz und
der Anstrengungen unserer partnerschaftlich
zusammenarbeitenden Teams im IBM-Werk in New York und
des AMD-Werks in Dresden“, sagte Nick Kepler, Vice
President of Logic Technology Development bei AMD. „Dies
ist ein geeigneter Weg, bei reduzierter Leistungsaufnahme
Leistungsverbesserungen zu erreichen, die unsere Kunden
von AMD Opteron™ und AMD Athlon™ 64 Prozessoren
erwarten.“

Details der innovativen Dual-Stress-Liner-Technik von AMD
und IBM werden auf dem Meeting 2004 der IEEE
International Electron Devices vom 13. bis 15. Dezember in
San Francisco, Kalifornien, bekannt gegeben. Die Dual-
Stress-Liner-Technik kombiniert mit der SOI-Technologie
wurde gemeinsam von Ingenieuren von IBM, AMD, Sony und
Toshiba im Semiconductor Research and Development
Center (SRDC) von IBM in East Fishkill, NY, und von AMDIngenieuren
in der Fab 30 in Dresden entwickelt.

IBM und AMD arbeiten seit Januar 2003 an der Entwicklung
von Halbleiterproduktionstechniken der nächsten Generation
zusammen.