NRAM aus Karbon-Nanoröhren

Massenproduktion 2006?

„Nanotube-based, non-volatile random access memory“ (NRAM) wird eine neue Technik genannt, bei der keine Eletronen, sondern die Position von „Nanoröhren“ aus Kohlenstoff zum Speichern der einzelnen Bits verwendet werden. Die Firma Nantero aus Woburn, Massachusetts will bereits einen runden Wafer mit 13 Zentimetern durchmesser gefertigt haben, auf den 10 GBit an Daten passen. Das ist zwar eine wesentlich geringere Speicherdichte als bei gewöhnlichen Methoden, dafür soll dieser Speicher bis zu zehn mal schneller ansprechen als derzeitiger Flash-Speicher.

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Die derzeitigen Flash-Speicherchips benötigen zudem eine gewisse Abschirmung, da sie Elektronen für die Speicherung der Daten verwenden. Noch dazu sind sie nicht beliebig oft wiederbeschreibbar.

Die NRAM-Technologie verwendet hingegen Bänder aus Nanoröhren, die zwischen Punkten auf einem Siliziumchip gespannt sind. Darunter befinden sich Elektroden. Wird dort eine Spannung angelegt, zieht sich die Brücke aus den Nanoröhren nach unten in Richtung der Elektrode. Diese Form behält sie auch wenn die Spannung wieder weggenommen wird, am Speicher muss also nicht dauerhaft Strom anliegen.

Derzeit arbeite man mit diversen Herstellern zusammen, die bereits Produktionlinien Testweise auf NRAM umstellen. Die geschieht um festzustellen, in wie fern die neue Technologie bereits tauglich für die Massenfertigung ist. Läuft alles nach Plan, so könnten bereits Mitte 2006 die ersten Prototypen von Geräten mit NRAM erscheinen.

Quelle: Nature

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