Samsung Electronics qualifiziert industrieweit ersten 32nm Low-Power / High-K Metal Gate Logikprozess

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 11. Juni 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im

Halbleitergeschäft, gibt bekannt, dass sein Geschäftsbereich, Samsung
Foundry, einen 32 Nanometer (nm) Low-Power (LP) Prozess mit High-k Metal
Gate (HKMG)* Technologie qualifiziert hat. Für den Prozess wurden auf der
300 Millimeter (mm) Logikproduktionslinie von Samsung Foundry, der “S Line”
in Giheung, Korea, alle relevanten Zuverlässigkeitstests erfolgreich
durchgeführt. Damit kann der Prozess ab sofort zur Herstellung von
Kundenentwicklungen verwendet werden. Als erstes Unternehmen, das 32nm LP
HKMG Logik-Prozesstechnologie qualifiziert, kann Samsung Foundry mit der
Massenproduktion von Chips beginnen, welche die Anforderungen
multimediaintensiver, mobiler Konsumerelektronikgeräte der nächsten
Generation hinsichtlich Energieeffizienz erfüllen.

Aufbauend auf seinen Erfahrungen bei Deep Sub-Micron Power-Technologien hat
Samsung Foundry zusammen mit der IBM Joint Development Alliance (JDA)
seinen 32nm LP HKMG Gate-First Prozess so optimiert, dass eine
wettbewerbsfähige Prozessplattform entstanden ist, die mit Hilfe
minimierter, restriktiver Design-Regeln die doppelte Logikdichte von
45nm-Prozessen ermöglicht.

“Dieses Ergebnis ist ein weiterer bedeutender Meilenstein in unserer
Strategie. So können wir unseren Kunden erneut hervorragende
Foundry-Prozesstechnologie anbieten, die sich in aktuellen Design-Lösungen
für Low-Power-SoC-Designs integrieren lässt,” sagte Stephen Woo, Executive
Vice President und General Manager, System LSI, Samsung Electronics. “In
Zusammenarbeit mit mehreren bedeutenden Partnern konnten wir die HKMG
Prozesstechnologie von der Entwicklung bis zur Implementierung in eine
Produktionsumgebung vorantreiben. Unsere Kunden können jetzt ihre
Design-Innovationen in der derzeit modernsten 32nm LP HKMG
Prozesstechnologie und mit Hilfe von Entwicklungstools, IP und
Fertigungsschritten implementieren. Auf diese Art lässt sich die Zeit bis
zur Marktreife von Siliziumlösungen für Mobilgeräte verkürzen.”

“Wir gratulieren Samsung als erster Foundry, die SoCs mit High-k/Metal Gate
Technologie demonstrieren kann. Dieser wichtige Meilenstein repräsentiert
den Höhepunkt der Zusammenarbeit innerhalb der IBM Joint Development
Alliance, um die für richtungsweisende Mobilgeräte optimierte Low-Power
“Gate First’ High-k Technologie anzubieten,” sagt Gary Patton, Vice
President von IBMs Semiconductor Research and Development Center.

Als Bestandteil des Qualifizierungsprozesses hat Samsung Foundry einen 32nm
LP System-on-Chip (SoC) entwickelt und bereits hergestellt. Die SoC-Lösung
verbraucht gegenüber SoC-Designs mit 45nm-LP-Strukturen bei gleicher
Frequenz 30 Prozent weniger dynamische Leistung und 55 Prozent weniger
Leckstrom. Erreichen konnte Samsung Foundry diese signifikante Reduzierung
der Leistungsaufnahme mit seiner “Gate-First” HKMG Implementierung.

Bei der Entwicklung des 32nm-LP-Prozesses hat Samsung Foundry intensiv mit
seinen Partnern zusammengearbeitet. Zu der Partner-IP, die erfolgreich in
das erwähnte SoC implementiert und in Silizium erprobt werden konnte,
zählen

• ARM 1176 Core,
• ARM Physical IP, bestehend aus Standard Zellen, Memory Compilern und I/Os sowie
• USB 2.0 OTG von Synopsys.

Samsung Foundry hat mit EDA-Partnern wie Synopsys, Cadence Design Systems
und Mentor zusammengearbeitet, um bedeutende Ergebnisse in den Designflow
für den 32nm-LP-Prozess einzubinden. Dazu gehören:

• Innovative Low-Power-Techniken einschließlich “Power Gating”, mehrere
  Schwellspannungen, mehrkanalige Längen und adaptive
  “Body-Biasing”-Techniken zur Reduzierung des Leckstroms.

• Statistische, statische Timing-Analyse (SSTA), um Änderungen effizient zu
  adressieren und Timing Margins zu reduzieren.

• Verschiedene Zell- und Chip-Level DFM-Techniken zur Verbesserung der
  Herstellung.

Samsungs Foundry-Kunden profitieren von dieser, bei Produkten bewährten
Design-Infrastruktur und dem kontinuierlichen Feedback-Prozess, der
einzigartig für sein Foundry Business ist.

Mit seinen umfassenden Erfahrungen in der Fertigung und der
kontinuierlichen Entwicklung führender Logikprozesstechnologie konzentriert
sich Samsung Foundry darauf, die anspruchsvollen Anforderungen des
Foundry-Marktes an Technologielösungen zu adressieren. Die 32nm LP HKMG
Prozesstechnologie von Samsung Foundry wurde entwickelt, um Kunden für
künftige “Shrinks” geeignete Designregeln sowie einen nahtlosen
Migrationspfad auf 28nm-LP anzubieten.