Intel & Micron mit 20-nm-Flash

Flash-Speicher im kleineren Herstellungsverfahren

Intel und Micron stellen gemeinsam NAND-Flash-Speicher im 20-Nanometer-Verfahren vor: Gemeinsam bieten die Firmen Bausteine mit 8 GByte im kleinen Herstellungsprozess an, die in SSDs, Smartphones und Tablets ihren Platz finden sollen. Die Speicherbausteine mit 8 GByte Speicher im 20-Nanometer-Verfahren messen nur 118 mm2 – Produkte im 25-Nanometer-Verfahren kommen auf 132 mm2. Durch die erhebliche Verkleinerung wollen Intel und Micron laut eigenen Aussagen dazu beitragen die Effizienz von Smartphones und Tablets zu verbessern, da mehr Platz für größere Akkus oder Displays bleibt.

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Prototypen der Bausteine mit 8 GByte im 20-Nanometer-Verfahren sind bereits in Produktion. Die Massenproduktion soll laut Pressemitteilung im zweiten Halbjahr 2011 beginnen, wenn alles planmäßig verläuft. In der Zwischenzeit arbeiten Intel und Micron an Bausteinen mit 16 GByte im 20-Nanometer-Verfahren: Auf der Fläche einer Briefmarke könnte man dann bis zu 128 GByte Speicher bieten.

Quelle: Pressemitteilung

André Westphal

Redakteur

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