IBM arbeitet an NAND-Flash-Nachfolger

Speicher arbeitet 100 mal schneller als Flash

IBM hat Speicher entwickelt, der 100 mal schneller als herkömmlicher NAND-Flash arbeitet und zudem Millionen von Schreib- und Lesezyklen übersteht. Der Phase-Change-Random-Access-Speicher (PCRAM) soll laut IBM günstig genug sein, um in Zukunft sowohl in Produkten für Geschäftskunden als auch in beispielsweise Smartphones zu werkeln. Zuvor kämpfte PCRAM mit Beschränkungen, da der Speicher schneller Lesefehler produzierte als Flash und die Speichermengen stark begrenzt waren. IBMs Ingenieure konnten offenbar beide Einschränkungen mittlerweile aufheben.

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Laut IBM erwartet man nun einen Paradigmenwechsel in der Industrie, denn Flash-Speicher, wie man ihn heute kenne, gehöre schon bald zum alten Eisen. Bis 2016 soll der neue Speicher reif für den Massenmarkt sein und die Industrie verändern. Aktuell gehen die Forschungen im Binnig and Rohrer Nanotechnology Center in Zürich weiter.

Quelle: Engagdget

André Westphal

Redakteur

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