Produktion des ersten 8 Gbit GDDR5-RAMs

Samsung gibt Meilenstein für 20-nm-Fertigung bekannt

Samsung hat bekannt gegeben die Massenproduktion des weltweit westen 8-Gigabit-Grafik-DRAMs (GDDR5) im 20-Nanometer-Verfahren begonnen zu haben. Der GDDR5-RAM von Samsung bietet durch die Kombination von acht 8-Gigabit-Chips die gleiche Speicherdichte wie die 8 GByte, die z.B. in aktuellen Spielekonsolen werkeln. So nennen die Südkoreaner eine I/O-Datenrate von 8 Gigabit pro Sekunde (Gbps) pro Pin. Als Ergebnis ist der Speicher über viermal schneller als der verbreitete DDR3-RAM. Die einzelnen Chips verarbeiten Daten mit einer I/O-Rate von 32-bit.

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Wer zwei GByte an Grafikspeicher benötigt, muss nur zwei der neuen Chips verbauen. Laut Samsung können jene zusammen bis zu 64 GByte an Grafikdaten pro Sekunde verarbeiten. Samsung gibt sich nun siegessicher durch die neuen Chips seine Marktposition im Segment für Speicher noch ausbauen zu können.

Quelle: Pressemitteilung

André Westphal

Redakteur

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