Neue 3D-Flash-Speichertechnologie von Kioxia und SanDisk erreicht die branchenweit höchste Bitdichte für QLC-NAND

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Kioxia Corporation, eine Tochtergesellschaft der Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) und der SanDisk Corporation (Nasdaq: SNDK), hat heute ihre 3D-Flash-Speichertechnologie der nächsten Generation mit Quad-Level-Cell (QLC) vorgestellt, die im Vergleich zur 8. Generation eine um bis zu 60 % höhere Bitdichte bietet, 37 Gb/mm² übersteigt und damit einen neuen Branchenmaßstab setzt1 und zwar in Bezug auf Bitdichte, Leistung und Energieeffizienz.

Es wird die revolutionäre CBA-Technologie (CMOS Directly Bonded to Array) des Unternehmens2 genutzt, bei der die CMOS-Logik und das Speicherarray auf separaten Wafern hergestellt und anschließend unter hochpräziser Wafer-zu-Wafer-Ausrichtung miteinander verbunden werden. Die neue Generation bietet im Vergleich zum 3D-Flash-Speicher der 8. Generation eine höhere Lese- und Schreibbandbreite und ist die branchenweit erste QLC-3D-Flash-Speichertechnologie, die eine Geschwindigkeit von 4,8 Gb/s 3 Schnittstelle erreicht.

Weitere Verbesserungen an der Schnittstelle steigern die Energieeffizienz bei der Übertragung von Ausgangsdaten. Diese erheblichen Verbesserungen der Energieeffizienz tragen direkt zur Bewältigung der Herausforderungen in Bezug auf Stromversorgung und Kühlung moderner KI- und Cloud-Infrastrukturen bei.

Hideshi Miyajima, Chief Technology Officer bei Kioxia, erklärte: „Da KI weiterhin den gesellschaftlichen Fortschritt vorantreibt, erweitern sich ihre Anwendungsbereiche von generativer KI hin zu agentenbasierter und physischer KI, während die Nutzung von Daten immer vielfältiger und ausgefeilter wird. Die QLC-Technologie ermöglicht die effiziente Speicherung schnell wachsender Datenmengen und trägt so zu einer höheren Leistung und Skalierbarkeit von KI-Systemen bei. Kioxia wird die Entwicklung hin zur Markteinführung seiner Flash-Speicherprodukte der 10. Generation mit QLC-Technologie beschleunigen.“

Alper Ilkbahar, Chief Technology Officer bei SanDisk, erklärte: „Da KI-Training, Inferenz und Workloads in Hyperscale-Rechenzentren ein beispielloses Wachstum bei der Datengenerierung vorantreiben, steht die Speicherbranche unter zunehmendem Druck, größere Kapazitäten, höhere Leistung und verbesserte Energieeffizienz bereitzustellen. Durch die Neudefinition der Leistungs- und Effizienzgrenzen von QLC-NAND bietet unser QLC-3D-Flash-Speicher der 10. Generation gleichzeitige Verbesserungen bei Speicherdichte, Bandbreite und Energieeffizienz und etabliert ein neues Paradigma für Flash-Speicher mit hoher Kapazität, um eine skalierbare Grundlage für Infrastrukturanwendungen der nächsten Generation zu schaffen.“

Zu den wichtigsten Merkmalen der QLC-3D-Flash-Speichertechnologie der 10. Generation gehören:

• Die 332-Lagen-Architektur und das optimierte Layout sorgen für eine Steigerung der Bitdichte um bis zu 60 % und erreichen damit >37 Gb/mm² im Vergleich zur 8. Generation.
• Die 4.8 Gb/s3 NAND-Schnittstelle wird durch Toggle DDR6.0 und das SCA-Protokoll (Separate Command Address) ermöglicht, um das volle Potenzial der schnellen Schnittstelle auszuschöpfen.
• Die CBA-Architektur (CMOS Directly Bonded to Array) verbessert die Skalierbarkeit der Packungsdichte, die Leistung und die Fertigungseffizienz.
• Die „Power-Isolated Low-Tapped Termination“ (PI-LTT) verbessert die Energieeffizienz bei der Datenübertragung über die I/O-Ausgänge.

1. Stand: 4. August 2026, basierend auf einer Umfrage von Kioxia und SanDisk.
2. Eine Technologie, bei der jeder CMOS-Wafer und jeder Zellarray-Wafer separat unter optimalen Bedingungen hergestellt und anschließend miteinander verbunden werden.
3. 1 Gb/s entspricht 1.000.000.000 Bit/Sekunde. Dieser Wert wurde unter unseren spezifischen Testbedingungen ermittelt und kann je nach Nutzungsbedingungen variieren.