Samsung liefert weltweit erste Multi-Chip-Packages mit PRAMs für Mobiltelefone aus

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 28. April 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer

bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Auslieferung der
industrieweit ersten Multi-Chip-Packages (MCPs) mit 512 Megabit PRAM
(Phase-Change Random Access Memory) begonnen. Die neuen MCPs wurden
speziell für den Einsatz in Mobiltelefonen und anderen tragbaren
Anwendungen entwickelt.

Die in den neuen MCPs enthaltenen PRAMs sind hard- und softwareseitig
abwärtskompatibel zu NOR-Flash-Speichern der 40 Nanometer (nm) Klasse.
Entwickler von Mobiltelefonen stehen mit Samsungs innovativen
Multi-Chip-Packages Lösungen zur Verfügung, die zu 100 Prozent kompatibel
zu bisherigen „Stand-Alone“ PRAM-Chips sind. Experten erwarten, dass sich
PRAMs 2011 in der Unterhaltungselektronik als Nachfolger von
NOR-Flash-Speichern durchsetzen und zu einer bedeutenden
Speichertechnologie avancieren werden.

„Speicher für portable Elektronikgeräte stehen heute an einem wichtigen
Wendepunkt. Zurückzuführen ist dies auf mobile Anwendungen, die zunehmend
mehr unterschiedliche Speichertechnologien verlangen,“ sagt Dong-soo Jun,
Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics.
„Die Markteinführung unserer PRAMs in einer innovativen MCP-Lösung als
Ersatz für NOR-Flash-Speicher mit Geometrien der 40nm-Klasse und darunter
erfüllt diese Anforderung optimal. Unser PRAM-MCP ermöglicht Entwicklern
von Mobiltelefonen nicht nur den Einsatz herkömmlicher Plattformen, sondern
beschleunigt auch die Markteinführung von Low-Power-DDR2-DRAM- und
PRAM-Technologie der nächsten Generation als anspruchsvolle Basis für
High-Performance-Lösungen.“

PRAM speichert Daten in einem resistiven Phase-Change-Element. Als
Basismaterial dient eine Legierung aus Germanium, Antimon und Titan. Die
PRAM-Technologie erreicht beim Speichern von Daten eine drei Mal höhere
Performance pro Wort als NOR-Chips. Samsungs neuer Speicher im MCP
kombiniert die nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Speicher mit der
hohen Geschwindigkeit von DRAM. Die einfache Zellenstruktur von PRAMs
vereinfacht und verkürzt die Entwicklung von MCP-Chips für Mobiltelefone.
Technologie mit Geometrien der 30nm-Klasse und darunter lassen sich somit
sofort einsetzen. Dadurch werden die Schwierigkeiten der
NOR-Flash-Technologie überwunden.

Als Ersatz für NOR-Speicher können PRAMs in Mobiltelefonen und anderen
mobilen Anwendungen wie MP3-Playern, Personal Multimedia Playern und
Navigationsgeräten die steigende Nachfrage nach sehr schnellen,
nichtflüchtigen Speichern mit hohen Speicherkapazitäten leicht erfüllen.

Samsung treibt seine Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten bei PRAMs und
anderen innovativen Speicherchips kontinuierlich voran, um künftig noch
höhere Schreibgeschwindigkeiten zu erreichen. Besonders vorteilhaft wird
sich dies beim Fotografieren mit Mobilgeräten, bei
Multimedia-Nachrichtendiensten und beim Aufzeichnen von Videoclips
auswirken, da sich mit einer höheren Schreibgeschwindigkeit die
Standby-Zeit bei Datenspeichern verkürzt. Eine hohe Schreibgeschwindigkeit
ist auch bei vielen digitalen Speicher- und
Unterhaltungselektronikanwendungen wie SSDs (Solid State Drives) und HDTVs
wichtig.