Samsung nimmt weltgrößte Memory Fab, Line-16, in Betrieb

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 22. September 2011 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, gibt die Inbetriebnahme seiner neuen Produktionsstätte für Halbleiterspeicher – Line-16 -bekannt. Ausgelegt ist das neue Halbleiterwerk für die branchenweit höchste Produktionskapazität. Gleichzeitig hat Samsung mit der Massenproduktion des industrieweit ersten DDR3-DRAMs (Double Data Rate-3, Dynamic Random Access Memory) in 20nanometer (nm) Class Prozesstechnologie begonnen. Gegenüber bisherigen Halbleiterspeichern dieser Art ermöglichen die neuen DDR3-DRAMs eine beachtliche Leistungssteigerung bei gleichzeitiger Energieeinsparung.. Beide Ankündigungen erfolgten im Rahmen von Feierlichkeiten in Samsungs Nano City Complex in Hwaseong, Gyeonggi Province, Korea, wo sich die neue Line-16 befindet.

Rund 500 Gäste nahmen an der Veranstaltung teil. Darunter auch der Samsung Electronics Chairman Kun-hee Lee, Oh-hyun Kwon, President of Device Solutions, der President and Chief Operating Officer Jay Y. Lee sowie Führungskräfte bedeutender Unternehmen und Vertreter aus der IT-Branche.

Mit dem Produktionsbeginn in der neuen Line-16, in die bis zur endgültigen Fertigstellung insgesamt 12 Trillionen Koreanische Won investiert wurden, will Samsung seine weltweite Führungsrolle im Marktsegment Halbleiterspeicher untermauern. Gleichzeitig möchte das Unternehmen über die Technologie und Fertigungskapazität verfügen, um das langfristige Wachstum der globalen IT-Industrie zu unterstützen.

Samsung hat im Mai 2010 mit dem Bau von Line-16 begonnen und die Installation von Equipment für die Reinräume im Mai 2011 abgeschlossen. Die Testproduktion hat im Juni begonnen. Voll funktionsfähig für die Massenproduktion ist die Fab seit August.

Untergebracht in einem zwölfstöckigen Gebäude, ist Line-16 die branchenweit modernste und größte Produktionsstätte für Halbleiterspeicher. Der reine Produktionsbereich beträgt etwa 198.000m2.

Zum Monatsbeginn hat Samsung mit der Massenproduktion von High-Performance 20nm-Class NAND-Flash-Memory-Chips begonnen. Angestrebt wird eine monatliche Kapazität von über 10.000 Wafer mit 12Zoll Durchmesser.

Samsung plant, die Produktion von NAND-Flash-Memory hochzufahren, um die Nachfrage des Marktes zu erfüllen. Mit der Herstellung noch modernerer Speicherlösungen auf Halbleiterbasis in 10nm-Class* Prozesstechnologie, die noch höhere Kapazitäten aufweisen und noch leistungsfähiger sind, wird Samsung im nächsten Jahr beginnen.

Line-16 verschafft Samsung die Kapazität und Flexibilität, um den Bedarf an seinen innovativen Memory-Produkten, die in der modernsten Prozesstechnologie und im fortschrittlichsten Werk produziert werden, zu decken.

Massenproduktion der industrieweit ersten 20nm-Class DDR3-DRAMs
Samsung kündigte auch den Produktionsstart der weltweit ersten 2gigabit (Gb) DDR3 DRAMs in 20nm-Class-Technologie an.

20nm-Class DDR3 DRAMs versprechen die höchste bisher da gewesene Performance. Sie erreichen somit eine höhere Leistungsfähigkeit als 30nm-Class* DDR3 DRAMs, die Samsung im Juli 2010 vorgestellt hat.

Die 20nm-Class-Lösung steigert die Produktivität um 50 Prozent und senkt den Energieverbrauch um bis zu 40 Prozent. Sie repräsentiert damit die „grünste“ derzeit verfügbare DDR3-Lösung.

Mit Plänen zur Entwicklung einer neuen 20nm-Class DDR3-Komponente mit 4Gb bis Ende 2011 wird Samsung sein Memory-Angebot erweitern. Die Massenproduktion von 4gigabyte (GB), 8GB, 16GB und 32GB DDR3-Modulen soll nächstes Jahr anlaufen.

Samsung rechnet mit einer steigenden Einbindung seiner „grünen“ Memory-Lösungen in unterschiedlichen Anwendungen aus der IT-Branche. Dazu zählen PCs und Notebooks sowie High-End-Applikationen wie Enterprise-Serversysteme.