Samsung: DRAM-Stapel

Anstatt einen DDR2-Chip mit 2 GBit zu bauen hat Samsung ein Stapelverfahren entwickelt, bei dem 4 Chips mit jeweils 512 MBit übereinandergestapelt werden. Dabei führen die Kontakte zwischen den Chips direkt durch die Chips hindurch. Als Kontaktmittel wird Kupfer eingesetzt, die Löcher werden mit Lasern geschossen. Stapelverfahren, bei denen Kontakte durch die Chips gelegt werden, werden allgemein „Through Silicon Via“ (TSV) genannt, Samsung hat sein Verfahren „Wafer-Level Processed Stacked Package“ (WSP) getauft.

Beim Bau der Chips mussten noch so einige Unwägbarkeiten wie sich verbiegende Dies überwunden werden, was laut Samsung aber inzwischen alles addressiert wurde. Die Stapeltechnologie könnte 2010 in Serie gehen und verspricht schnelleren Speicher, der gleichzeitig weniger Platz wegnimmt und zusätzlich weniger Energie verbrauchen soll.

Quelle: Pressemitteilung