Intel will angeblich mit Samsung und Toshiba kooperieren, um die Herstellung von Halbleitern im 10-Nanometer-Verfahren entscheidend voranzubringen. Es heißt, die drei Firmen wollen in Kürze ein Konsortium gründen und mindestens zehn weitere Unternehmen zur Teilnahme einladen. Das japanische Wirtschaftsministerium soll dann ca. 44 Millionen Euro zur Forschung und Entwicklung beisteuern – den Rest der nötigen 90 Millionen Euro werden die Mitglieder des Konsortiums einbringen. Im Laufe des Jahres 2016 soll die Fertigung im 10-Nanometer-Verfahren dann beginnen.
Intel, Samsung und Toshiba wollen dann im 10-Nanometer-Prozess neue NAND-Flash-Speicherchips herstellen. Bisher handelt es sich bei den Angaben aber noch um unbestätigte Gerüchte: Samsung und Toshiba paktieren aktuell mit IBM und würden im Falle des Falles nun mit Intel eine neue Allianz gründen. Intel arbeitet wiederum eng mit Micron zusammen und müsste diese Zusammenarbeit, sollten die Gerüchte zutreffen, vermutlich ebenfalls aufgeben.
Dementsprechend enthalten sich Intel, Samsung und Tosbiha zu den Gerüchten bisher eines Kommentares.
Quelle: Xbitlabs
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