Samsung Electronics stellt das erste 256-MBit-Pseudo-SRAM vor
Seoul, Korea, 6. September 2005 – Samsung Electronics Co., Ltd., ein führender Anbieter modernster Halbleiterspeicher-Technologien, hat heute angekündigt, dass man das erste 256-MBit Uni-Transistor Random Access Memory (UtRAM) in 90-nm-Technologie entwickelt hat....
Neueste Kommentare
17. Juli 2025
16. Juli 2025
13. Juli 2025
8. Juli 2025
7. Juli 2025
5. Juli 2025