AMD-Forscher präsentieren künftige High-Speed-Transistoren mit Leistungen in Rekordhöhe
Sunnyvale, Kalifornien, 9. Dezember 2003 – Auf dem IEEE International Electron Devices Meeting 2003 (IEDM) in Washington, DC, gab AMD weitere Details seiner revolutionären SOI-Transistorentwicklung (Silicon-on-Insulator) der nächsten Generation bekannt. Darüber hinaus...
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