Neues RDRAM von Samsung

Bandbreite wird auf bis zu 6,4GB/s gesteigert

4. Mai 2001, 14:52 von

Samsung, seines Zeichens Marktführer bei RDRAM Speicherchips und Speichermodulen, stellte gestern drei neue Modultypen vor. Alle drei sollen in Servern und Hochleistungsrechnern zum Einsatz kommen.

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Neues Kronjuwel von Samsung Electronics dürfte das Multi-Channel RDRAM Modul sein. Dieses kann mit vier unabhängigen Kanälen angesprochen werden und erreicht so eine maximale Bandbreite von 6,4GB/s. “Normales” PC800 RDRAM erreicht nur 1,6GB/s, Intels Dual-Channel Chipsätze 3,2GB/s, wobei man die Module paarweise verwenden muss. Chipsätze, die das neue Modul unterstützen, sind allerdings noch nicht in Sicht.

Weiterhin stellte man neue hochkapazitative RDRAM Module vor, die mit einer Kapazität von bis zu 512MB geliefert werden können. Demnächst sollen 1GB-Module folgen. Mit diesen könnte man dann den maximalen Speicherausbau des i860 erreichen. Dieser unterstützt bis zu 8GB RDRAM und wird zusammen mit dem Xeon (Codename Foster) in den nächsten Tagen vorgestellt.

Das zusammen mit den beiden anderen Modulen präsentierte SO-RIMM (Small Outline RIMM) soll überall dort zum Einsatz kommen, wo wenig Platz vorhanden ist. Die mit 64 und 128MB Kapazität verfügbaren Module werden in einer besonders platzsparenden Modulform produziert.

Die drei neuen Module laufen bei Samsung unter dem Name “Customized RDRAM”, da sie nicht für den Massenmarkt entworfen wurden, sondern auf spezielle Bedürfnisse zugeschnitten sind (Geschwindigkeit, Kapazität, Größe). Samsung erhofft sich einen Absatz von 20Mio Einheiten im Jahre 2002.

RDRAM

Quelle: Samsung

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