Snapdragon 820 sei angeblich der nächste Hitzkopf

In den letzten Tagen gab es verstärkt Gerüchte, laut denen dem Qualcomm Snapdragon 820 ein ähnliches Schicksal blühe wie dem Snapdragon 810: Demnach sollte auch der neue SoC von Überhitzungsproblemen geplagt sei. Die Meldungen stammten aus Südkorea und ergänzten sogar, dass der Hersteller Samsung gemeinsam mit Qualcomm auf Hochdruck an Lösungen arbeite, da der Snapdragon 820 schließlich in einer Variante des Galaxy S7 stecken solle. Samsung soll auch ein Interesse am Erfolg des Snapdragon 820 haben, da der Qualcomm-Chip in Samsungs Werken im 14-Nanometer-Verfahren gefertigt wird. Qualcomm dementiert sämtliche Gerüchte jetzt allerdings.

Laut Qualcomm seien die Meldungen Unsinn und der Snapdragon 820 arbeite genau so, wie der Hersteller es vorgesehen habe. Man tüftele zwar ganz regulär weiterhin an den Feinheiten des Chips, doch Probleme mit der Abwärme gebe es gewiss nicht.

Der Qualcomm Snapdragon 820 nutzt vier angepasste Kryo-Kerne aus dem 14-nm-Verfahren und legt 2,2 GHz Takt pro Kern an. Laut Qualcomm sei die Leistung ca. doppelt so hoch wie beim Snapdragon 810 – bei stark gesteigerter Energieeffizienz.

Natürlich ist möglich, dass die Gerüchte trotzdem Recht behalten und Qualcomm einfach nur die Wogen glätten wollte. Zumindest liegt aber ein offizielles Dementi der Überhitzungsprobleme des Qualcomm Snapdragon 820 vor.

UPDATE:
Hier das offizielle Statement von Qualcomm (in Englisch):
The rumors circulating in the media regarding Snapdragon 820 performance are false. The Snapdragon 820 improves on all IP blocks and is fabricated in the second generation of the 14nm process technology. It is meeting all of our specifications. But more importantly it is satisfying the thermal and performance specifications from our OEMs.

Quelle: Weibo