Samsung mit 1-GBit-Flash-RAM

Samsung Electronics hat heute bekanntgegeben, dass sie als weltweit erster Hersteller die Serienproduktion von Flash-Speicher vom NAND-Typ mit einer Kapazität von 1 GBit aufgenommen haben. Die NAND-Flash-Speicher werden auf Basis eines 120nm (0,12µ) Fertigungsprozesses hergestellt. Diese hochdichten, nichtflüchtigen Speicher ermöglichen sehr große Datenmengen auf tragbaren Geräten wie digitalen Kameras, PDAs (Personal Digital Assistants) und digitalen Audio-Player.

Durch modernste Prozesstechnologien kann Samsung nach eigenen Angaben Speicherzellen realisieren, die eine Fläche von weniger als 100nm² einnehmen, was die Fertigungskosten deutlich senken soll.
Mehrere einzelne 1-GBit-NAND-Speicher lassen sich in einem einzelnen Gehäuse unterbringen. Samsung plant einen 4-GBit-Chip, in dem vier Dies mit einer Kapazität von je 1 GBit sitzen. Speicherkarten wie die Compact-Flash-Karte sollen auf diese Weise mit Kapazitäten bis zu 2 GB auf den Markt kommen!
Weitere Informationen entnehmt bitte der Pressemitteilung.