Samsung Electronics liefert den weltweit ersten 512-MBit-GDDR3-Speicherchip in Musterstückzahlen

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts, Deutschland, 10. Dezember 2004 -Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat mit der Auslieferung der weltweit ersten synchronen 512-MBit-DRAMs nach der neuen GDDR3-Spezifikation begonnen. Samsungs Double-Data-Rate-Speicherchips

(GDDR3) wurden speziell für Grafikkarten und Spielekonsolen entwickelt und ermöglichen höhere Geschwindigkeiten als bisherige Speichertypen. Im Vergleich zu anderen Grafikspeichern, die derzeit auf dem Markt angeboten werden, bieten Samsungs GDDR3-Speicher mindestens die doppelte Speicherkapazität und schaffen so die Voraussetzung zur Darstellung realistisch wirkender Bilder.

„Beim Einsatz unseres neuen 512-MBit-GDDR3-Speicherchips können unsere Kunden eine deutlich höhere Performance erzielen und den Stromverbrauch ihrer Anwendungen senken. Darüber hinaus lässt sich der Speicherbereich in 512-MBit-Grafikkarten effizienter als bisher nutzen,“ so Mueez Deen, Director of Marketing, Graphics Memory, Samsung Semiconductor Inc.

Im November 2003 stellte Samsung einen GDDR3-Speicherchip mit einer Kapazität von 256 MBit vor. Das Unternehmen ist Marktführer bei Speichern, die in besonders hochwertigen Grafikkarten zum Einsatz kommen.

Analysten gehen davon aus, dass der Markt für Grafik-DRAMs im Jahr 2005 um 30% wächst und dann ein Volumen von fast 1,47 Mrd. US Dollar repräsentiert.
Samsungs 512-MBit-GDDR3-Speicherchip ist der erste Baustein dieser Art, der den JEDEC-Standard erfüllt und mit bis zu 1,6 GBit/s arbeitet. Der neue GDDR3-Speicherchip ist damit schneller als alle anderen derzeit verfügbaren Grafik-Speicher.

Die Serienproduktion von Samsungs 512-MBit-GDDR3-Speicherchip soll zum Jahresbeginn 2005 anlaufen.