Samsung Electronics stellt das erste 256-MBit-Pseudo-SRAM vor

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 6. September 2005 – Samsung Electronics Co., Ltd., ein führender Anbieter modernster Halbleiterspeicher-Technologien, hat heute angekündigt, dass man das erste 256-MBit Uni-Transistor Random Access Memory (UtRAM) in 90-nm-Technologie entwickelt hat. Das Unternehmen gab bekannt, dass die ersten Muster dieser Bausteine noch in diesem Monat an Hersteller von Mobiltelefonen geliefert werden.

Das neue 256-MBit-UtRAM bietet unerreicht schnelle Zugriffszeiten und Speicherdichte sowie Kompatibilität für Mobiltelefone mit umfangreichen Zusatzfunktionen. Es arbeitet mit 133 MHz und ist damit das schnellste heute verfügbare Pseudo-RAM. Es kann Daten 1,7mal schneller verarbeiten als derzeitige 80-MHz-Pseudo-SRAMs auf dem Markt und bietet leistungsfähigere Multimediafunktionen in 3G-Mobiltelefonen.

Samsungs UtRAM ist verfügbar als Stand-alone-Baustein oder als Schlüsselkomponente in einem Multi-Chip-Package (MCP), das erst kürzlich zur bevorzugten Speicheroption für Mobiltelefone wurde.

Das neue 256-MBit-UtRAM soll gegen Ende 2005 in die Massenproduktion überführt werden.

Dem weltweiten Markt für Pseudo-RAMs, an dem Samsung einen Anteil von mindestens 30 Prozent hält, wird ein jährliches Wachstum von 33 Prozent bis 2008 vorhergesagt.

Die stark wachsende Nachfrage nach Pseudo-SRAMs wird durch den Wunsch nach ständig steigender Leistungsfähigkeit der 3G- und anderer Mobiltelefone mit großem Funktionsumfang gespeist. Das Marktforschungsunternehmen IDC erwartet, dass der globale Markt für 3G-Mobiltelefone bis 2008 mit durchschnittlich 65 Prozent jährlich wächst und dann ein Volumen von 260 Millionen Geräten umfassen wird, was etwa 30 Prozent des gesamten Marktes für Mobiltelefone entspricht.