Samsung Electronics startet Massenprodukion des ersten 512-MBit-Mobile-DRAMs in 90-nm-Technologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 10. November 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat mit der Serienfertigung eines 512-MBit-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für mobile Produkte begonnen. Die neuen Mobile DRAMs sind die ersten Speicherchips, die über eine Kapazität von 512 MBit verfügen und in einer 90-nm-Technolgie hergestellt werden.

Zur Verarbeitung von 3D-Grafiken benötigen Mobiltelefone eine hohe Bandbreite. Samsungs 512Mbit Mobile DRAM überträgt Daten mit einem 32-Bit-Datenbus und einer Geschwindigkeit von 1,3 GB. Dadurch lassen sich die Eigenschaften mobiler Geräte wesentlich verbessern und Bilder mit hoher Auflösung verarbeiten.

Für mobile Anwendungen mit höherem Speicherbedarf bietet Samsung eine Lösung an, die zwei 512-MBit-DRAMs in einem Dual-Die-Gehäuse enthält und somit über eine Speicherkapazität von 1 GBit verfügt. Mit dieser Lösung kann Samsung die kurzfristig zu erwartende Nachfrage nach zusätzlichem Speicherplatz für Mobilgeräte erfüllen.

Die steigende Nachfrage nach 3D-Bildern und Spielen in Mobiltelefonen und nach hoch auflösenden Kameras von 5 Mega-Pixeln oder mehr machen Datenverarbeitungsraten von mehr als 1 GB/s und Speicherkapazitäten von 512 MBit und darüber erforderlich. Samsungs neue Mobile DRAMs reduzieren im Vergleich zu konventionellen SDRAMs den Stromverbrauch um bis zu 50%.

Dataquest geht davon aus, dass der Weltmarkt für Mobiltelefone von 2005 bis 2010 pro Jahr um durchschnittlich 9% wächst. Für den gleichen Zeitraum erwartet Dataquest bei Mobilen DRAMs ein Wachstum von durchschnittlich 114% pro Jahr. Ausgehend von diesen Zahlen rechnen die Hersteller in den nächsten Jahren mit einem enormen Wachstum bei Speichern.

Der neue 512-MBit-Mobile-DRAM, dessen erfolgreiche Entwicklung bereits im Januar bekanntgegeben wurde, trägt zu Samsung’s Führungsposition bei und belegt Samsung’s Anspruch, auch zukünftig fortschrittlichste Speicher-Technologien kommender Generationen als erstes Unternehmen zu produzieren. So hat das Unternehmen zum Beispiel im vergangenen Monat das erste GDDR4-Memory (Graphics Double Data Rate 4 Generation) entwickelt.