(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 12. September 2007 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, hat das industrieweit erste 2-GBit-DDR2-DRAM in 60-nm-Technologie entwickelt und will noch in diesem Jahr mit der Serienproduktion beginnen.
Neben ihrer höheren Effizienz bieten die neuen 2-GBit-DDR2-Chips gegenüber bisherigen System-Memory-Lösungen die doppelte Speicherkapazität und werden somit in High-End-Marktsegmenten den Übergang zu Speicherlösungen mit höheren Kapazitäten vorantreiben.
Die neuen High-Performance- und High-Capacity-DRAMs eignen sich ideal für den Einsatz in Servern, Workstations und Notebooks, bei denen hohe Arbeitsgeschwindigkeiten im Vordergrund stehen.
Mit den neuen 2-GBit-DDR2-Chips lässt sich ein 8-GB-Modul (Four-Rank), für das bisher 72 Chips mit 1 GBit erforderlich waren, mit nur halb so vielen Komponenten herstellen. Samsungs neue Lösung benötigt etwa 30 Prozent weniger Leistung als ein gleich großes, aus 1-GBit-Chips bestehendes Modul. Da aufgrund des geringeren Stromverbrauchs weniger Verlustwärme entsteht, verbessert sich die Zuverlässigkeit und wird der Kühlungsaufwand minimiert.
Samsung kann die 2-GBit-DDR2-Chips in vier Modultypen anbieten: 8 GB Fully-Buffered, Dual Inline Memory Module (FBDIMMs), 8 GB Registered, Dual Inline Memory Module (RDIMMs), 4 GB Unbuffered, Dual Inline Memory Module (UDIMMs) und 4 GB Small Outline, Dual Inline Memory Module (SODIMMs).
Mit dem zum Jahresende geplanten Start der Massenproduktion der 2-GBit-DDR2-Chips wird Samsungs gesamtes DDR2-Produktspektrum von 512 MBit bis 2 GBit in 60-nm-Prozesstechnologie produziert werden. Samsungs 1-GBit- und 512-MBit-Chips werden bereits in 60-nm-Prozesstechnologie hergestellt.
Das Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht davon aus, dass der Markt für 2-GBit-DRAMs bis 2011 ein Volumen von 14 Mrd. US-$ erreicht und damit 47 Prozent des Gesamtmarktes für DRAMs ausmacht.
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