Samsung kündigt erstes validiertes 40-nm-DRAM an

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 4. Februar 2009 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer

bei modernster Speichertechnologie, gibt die erfolgreiche Entwicklung und
Validierung des ersten 40 Nanometer (nm) DRAM-Chips und Moduls bekannt. Der
neue 1 Gigabit (Gb) DDR2-Chip (x8) sowie ein entsprechendes, 800 Megabit
pro Sekunde schnelles 1 Gigabyte DDR2 SODIMM (Small Outline DRAM Inline
Memory Modul) – beide für die Herstellung in einer 40-nm-Technologie
entwickelt – wurden im Rahmen des Intel Plattform-Validierungsprogramms für
die Intel® GM45 Series Express Mobile Chipsätze zertifiziert.

“Wir unterstreichen unser Engagement als Technologieführer, indem wir stets
die effizientesten Prozesse zur Herstellung von DRAMs verwenden”, sagt Gerd
Schauss, Director of Memory Marketing, Samsung Semiconductor Europe.
“Deshalb nutzen wir innovativste Technologien und sorgen für das
einwandfreie Zusammenspiel von Systemen und Plattformen”.

Samsung geht davon aus, dass die Migration auf die 40-nm-Prozesstechnologie
die bisher übliche Entwicklungszeit um 50 Prozent auf lediglich ein Jahr
verkürzt. Das Unternehmen plant, seine 40-nm-Technologie auch zur
Entwicklung eines 2Gb-DDR3-DRAMs zu nutzen. Die Massenproduktion dieses
DRAMs soll zum Jahresende 2009 beginnen.

Die neue 40-nm-Prozesstechnologie wird gegenüber DRAMs mit 50-nm-Strukturen
eine weitere Reduzierung der Versorgungsspannung ermöglichen. Samsung
rechnet damit, dass sich so der Stromverbrauch um etwa 30 Prozent senken
lässt.

Darüber hinaus ermöglicht Samsungs neue DRAM-Technologie mit
40-nm-Strukturen gegenüber 50-nm-DRAMs eine Steigerung der Produktivität um
rund 60 Prozent.

Ferner erwartet Samsung, dass seine 40-nm-Prozesstechnologie einen
signifikanten Schritt hin zur Entwicklung von Ultra-High-Performance
DRAM-Technologien der nächsten Generation wie DDR4 bedeutet.