Samsung startet Produktion von 20nm-Class, 64Gigabit 3-Bit-NAND-Flash-Memory

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 13. Oktober 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer

bei modernster Speichertechnologie, hat als industrieweit erstes
Unternehmen mit der Produktion eines 3-Bit-Cell (3bit), 64Gigabit (Gb)
NAND-Flash-Speichers mit Strukturen der 20 Nanometer (nm) Klasse begonnen.
Der hochentwickelte neue Chip eignet sich für den Einsatz in High-Density
Flash-Lösungen wie USB-Flash-Drives (UFDs) und Secure Digital (SD)
Speicherkarten.

„Wir haben den Markt kontinuierlich als erstes Unternehmen mit führenden
NAND-Flash-Lösungen wie zum Beispiel unserem 30nm-Class 32Gb
3-Bit-NAND-Flash, vorgestellt im November 2009, beliefert,“ sagt Seijin
Kim, Vice President, Flash Memory Planning/Enabling, Samsung Electronics.
„Indem wir jetzt die Massenfertigung von 20nm-Class 64Gb 3-Bit-Chips
starten, erwarten wir eine zunehmende Dynamik beim Einsatz unserer
High-Performance NAND-Lösungen, die Toggle-DDR-Technologie nutzen und sich
für Anwendungen eignen, die nach High-Density-NAND verlangen.“

Die Verfügbarkeit von Speicherkapazitäten von bis zu 8Gigabyte (64Gb) auf
einem einzigen Chip wird die breite Akzeptanz von Toggle DDR-basierten
High-Performance-Flash in UFDs und SD-Karten sowie SmartPhones und SSDs
vorantreiben und zugleich bisherige Lösungen mit 4Gigabyte (32Gb) ersetzen.

Samsungs 20nm-Class, 64Gb 3-Bit-NAND hat einen 60 Prozent höheren
Produktivitätslevel als 30nm-Class, 32Gb 3-Bit-NAND. Der Speicher bietet
auch eine höhere Performance als SDR (Single Data Rate) basierte 30nm-Class
NAND-Chips, indem er die Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0 Spezifikation
erfüllt.

Samsung hat im April mit der Produktion von 32Gb MLC NANDs mit Strukturen
innerhalb der 20nm-Klasse begonnen und erweitert mit der Einführung des
20nm-Class 64Gb 3-Bit-NAND sein Produktangebot in dieser führenden
Prozesstechnologie.