ADATA kündigt die Einführung neuer DDR3L ECC SO-DIMM Speichermodule für Micro-Server-Anwendungen an

Erste Enterprise Cloud-Computing Lösungen im Anmarsch

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Taipei, Taiwan – 22. März 2012 – ADATA™ Technology, ein führender Hersteller von Hochleistungs-Speichermodulen und NAND-Flash Produkten, stellt heute mit den DDR3L ECC SO-DIMM-Server-Speichermodulen seine neueste Produktgruppe vor, die in Kapazitäten von 4 GB und 8 GB verfügbar sind und lediglich 1,35 V Speicherspannung benötigen. Die neuen ECC SO-DIMM Speichermodule sind so konzipiert und entwickelt, dass sie sich speziell für den Einsatz in Cloud-Computing-Lösungen eignen und durch ihre geringe Betriebsspannung den Stromverbrauch bei einer breiten Palette von Netzwerk-Systemen senken.

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Bei sogenannten Micro-Servern handelt es sich um einen neuen Server-Typ, der sich speziell für den Einsatz in Rechenzentren eignen. Seit dem zweiten Halbjahr 2009 haben viele große Rechenzentren und Informations-Service Anbieter damit begonnen Mikro-Servern einzusetzen. Diese spielen eine zunehmend wichtig Rolle beim Hosting und Web-Serving sowie dem einfachen Bereitstellen von Inhalten. Viele Halbleiterhersteller haben zudem bereits Pläne bekannt gegeben, den Mikro-Server-Markt anzugehen und werden voraussichtlich in Kürze neue Low-Power-Prozessoren für den Einsatz in High-Density-Servern ankündigen.

Jacky Yang, Produktmanager bei ADATA, kommentiert: „ADATA DDR3L ECC SO-DIMMs entsprechen den Anforderungen der neuen Mikro-Server in Bezug auf eine hohe Speicherdichte sowie einer optimalen Energieeffizienz. Die DDR3L ECC SO-DIMMs sind die ersten Module, die mit einer Betriebsspannung von 1,35 V arbeiten und Low-Voltage CPUs voll unterstützen.“ Yang kommt zu dem Schluss: „Die Einführung dieser neuen Low Voltage Server-SO-DIMM-Module ist ein Beweis für ADATAs Engagement Kosten zu reduzieren und nachhaltige Betriebsmodelle für große Rechenzentren weltweit zu ermöglichen.“

Technische Daten:

Small Outline-DIMM (SO-DIMM)

  • Modell: DDR3L
  • Geschwindigkeit: 1333 MHz, 1600 MHz
  • Dichte: 4 GB, 8 GB
  • Spannung: 1.35 V
  • Konformität: RoHS-und JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)
  • Intel Bromolow / ATOM Plattform-Unterstützung