Samsung nimmt die Serienfertigung von 576Mb-RDRAM auf
Schwalbach/Ts., 10. September 2003 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat heute mit der Serienfertigung von 576-Mbit-RDRAM® begonnen. Der Hochleistungsspeicher, der eine Rekorddatenübertragungsrate von 1200 Mbits/s erreicht, bietet...
Neueste Kommentare
13. Juli 2025
8. Juli 2025
7. Juli 2025
5. Juli 2025
2. Juli 2025
1. Juli 2025