0.11µ Technik von Fujitsu

Gestern gab Fujitsu

in einer Pressemitteilung bekannt, dass sie in der Lage sind ASIC’s in 0.11µm herzustellen. Die Vorteile dieser Chips liegen auf der Hand, sie besitzen die geringste Verlustleistung, die schnellsten Transistoren und die kompaktesten Speicherzellen. Im dritten Quartal 2001 werden die mit Kupferverbindungen hergestellten IC’s erhältlich sein.
Hier eine kleine Auswahl an technischen Details, bei einer angelegten Spannung von 1,2V verbraucht der Chip gerade mal 2nW/MHz/Gate. Für eine SRAM-Speicherzelle werden 6 Transistoren benötigt, diese werden auf einer Fläche von nur 2µm² untergebracht. Im Vergleich zu der 0.18µ Technik verdoppelt sich die Menge der Transistoren auf der gleichen Fläche.
Mehr davon in der Pressemitteilung.
Die ersten Produkte dieser Technik werden die Bezeichnung CS91 und CE91 haben und in single/dual port SDRAM, AD- und DA-Wandler, ROM usw. eingesetzt werden. Zusätzlich ist ein Speicher geplant mit 192MB DRAM/100mm². Wenn dieser als SDRAM eingesetzt wird kann er eine Taktfrequenz von 200MHz erreichen und als FCRAM (Fast Cycle RAM) mehr als 300MHz.