Samsung nimmt die Serienfertigung von 576Mb-RDRAM auf

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts., 10. September 2003 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat heute mit der Serienfertigung von 576-Mbit-RDRAM® begonnen. Der Hochleistungsspeicher, der eine Rekorddatenübertragungsrate von 1200 Mbits/s erreicht, bietet Herstellern von Hochleistungscomputern wie beispielsweise Supercomputern, High-end-Servern und Netzwerksystemen, einen klaren Wettbewerbsvorteil.

“Der Übergang zu RDRAMs mit höherer Speicherdichte stellt die Fortsetzung von Samsungs Strategie dar, die Hersteller von Hochleistungssystemen, die mit RDRAM-ausgestattet sind, weiterhin mit High-end-Produkten zu unterstützen.,” sagt Werner Diesing, Vice President Memory und TFT-LCD Marketing in Europa. “RDRAM bietet Herstellern von Supercomputern, modernen Hochleistungs-Servern und den Entwicklern von Netzwerk-Equipment einen Vorsprung in der Speicherleistung“.

Module mit einem 576Mbit-RDRAM sind mit Speicherkapazitäten von bis zu 1 GByte erhältlich. Verfügbare Optionen sind beispielsweise 16-Bit-RIMM, 32-Bit-RIMM, SoRIMM, NexMod und 4-Kanal-RIMM.

Die mit Hilfe von 0,11-µm-Prozessen gefertigten RDRAMs laufen mit einer Übertragungsrate von 2,4 GByte/s auf einem Kanal und 9,6 GByte/s in einem 4-Kanal-System – das ist die eineinhalbfache Bandbreite von einem 2-Kanal-DDR400 und industrieweit führend.

Samsung Electronics