Samsung präsentiert neuen High-Speed 2-GBit-NAND Flash-Speicher

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts., Deutschland, 29. April 2004 – Samsung Electronics, der

weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiterspeicher-Technologien,
gibt heute eine Geschwindigkeitsverbesserung seiner
2-GBit-NAND-Flash-Speicher bekannt. Dieser neue
Hochgeschwindigkeits-NAND-Flash-Speicher verbessert die sequentielle
Schreib-/Lese-Zugriffszeit von 50 ns auf 30 ns, womit die Bandbreite, d. h.
der effektive Datendurchsatz von 16,4 MByte/s auf 24,1 MByte/s erhöht werden
kann. Die höhere Geschwindigkeit verbessert die Funktionalität von
Speichersystemen wie beispielsweise USB-Flash-Laufwerke (UFD), Karten mit
hoher Speicherkapazität und SSDs (Solid State Disk). Mit diesem 2-Gb NAND
Flash Speicher haben Anwender die Möglichkeit, Programme schneller
auszuführen und darüber hinaus eine verbesserte Systemperformance zu
erleben.

Die mit einem 90-nm-Prozess hergestellten
Hochgeschwindigkeits-2-GBit-NAND-Flash-Speicher werden in 3 Varianten
angeboten: in einer 2-GBit-Version als einzelner Chip, einem Dual-Die-Pack
mit 4 GBit und einem Quad-Die-Pack mit 8-GBit. Für diese neuen
leistungsfähigeren Speicher wird eine starke Zunahme der Nachfrage erwartet,
insbesondere für Anwendungen wie Speicherkarten, USB-Flash-Laufwerke, PDAs,
digitale Camcorder und MP3-Spieler.

Der 8-GBit-Flash-Speicher im Quad-Die-Pack hat eine Speicherkapazität von 1
GByte in einem einzigen Gehäuse. Das bedeutet Kosteneinsparungen und eine
alternative Speicherlösung für konventionelle Speichermedien wie
beispielsweise kleinformatige HDDs und digitale Camcorder-Kassetten. Der
Speicher kann auch in Tablet-PCs und anderen Einsatzgebieten von
magnetischen Festplatten für den Heimgebrauch Verwendung finden.

Samsung