Samsung ermöglicht 3D-Spiele auf Mobiltelefonen mit dem weltweit ersten Mobilen x32-DDR-Speicherbaustein

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts., 12. Mai 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende

Hersteller von modernsten Halbleiterspeicher-Technologien, gibt heute die
neueste Ergänzung seines Portfolios mobiler DRAMs bekannt, einen
monolithischen 32bit-breiten 256Mbit-DDR-Speicherbaustein, der eine für
photorealistische 3D-Spiele in mobilen Endgeräten benötigte Bandbreite
bietet. Muster sind ab sofort erhältlich, die Massenfertigung ist für das
zweite Halbjahr 2004 vorgesehen.

Der Baustein ist Teil einer stetig wachsenden Produktfamilie von Lösungen
basierend auf Mobile DRAM, die als Single-Data-Rate- (SDR) oder
Double-Data-Rate- (DDR) Bausteine erhältlich sind. Alle Bausteine erfüllen
die strengen Anforderungen für batteriebetriebene mobile Endgeräte bezüglich
Leistungsverbrauch und Formfaktor. Der Mobile-x32-DDR-Baustein unterstützt
Datenraten bis zu 266Mbit pro Sekunde auf jedem Anschluss und damit
insgesamt einen Datendurchsatz von 1064 Gigabyte pro Sekunde unter
Verwendung von Samsungs bewährtem 0,1µm-Prozess für eine wirksame Umsetzung
der Mobilen-Speicher-Merkmale.

“Samsung nimmt die Herausforderungen mit Nachdruck an, die uns von der
mobilen Front präsentiert werden,” sagt Ivan Greenberg, Director
Strategisches Marketing bei Samsung Semiconductor, Inc., San Jose,
Kalifornien. “3D-Spiele auf mobilen Endgeräten werden sich bis 2006 als
Standard durchgesetzt haben und Samsungs neue Mobile-x32-DDR-Lösung wird
Designer von mobilen Endgeräten und Spiele-Entwickler in die Lage versetzen,
das volle Potential ihrer mobilen 3D-Pipelines und Spielanwendungen
freizusetzen.”

Samsungs Mobile-DRAMs setzen die Leistungsaufnahme der meistverbreiteten
DRAMs deutlich herab und ermöglichen den OEMs, die Batterielebensdauer in
mobilen Endgeräten wie SmartPhones, MP3-Playern und PDAs deutlich zu
verlängern. Gleichzeitig erlaubt die Verwendung DRAM-basierter
Speicherlösungen den Entwicklern, den mobilen Endgeräten neue Funktionen
hinzuzufügen, ohne die Leistungsfähigkeit oder den Formfaktor zu
beeinträchtigen. Die auf dem Chip beinhalteten Leistungsmerkmale: Integrated
Temperature-Compensation-Self-Refresh-Sensors (TCSR),
Partial-Array-Self-Refresh (PASR) und Deep-Power-Down-Mode (DPD) bieten
Entwicklern Wettbewerbsvorteile, indem sie Systeme in die Lage versetzen,
mit dem Verbrauch besser zu haushalten und so die Batterielebensdauer zu
verlängern.

Samsungs Mobile-DRAM-Produkte schließen SDR and DDR-Mobile-DRAMs mit
Speicherkapazitäten von 64Mb bis 512Mb ein. Das Mobile-DRAM-Portfolio
unterstützt auch Samsungs Advanced-Packaging-Technologie, Lösungen in
Multi-Chip-Packages (MCP) bereitzustellen. MCP-Lösungen erlauben,
Mobile-DRAMs mit einer Reihe von Samsung Speicherbausteinen gemeinsam
verkapselt auszuliefern. Dazu zählen NAND-Flash, OneNAND-Flash, SRAM, und
UtRAMs bzw. mit ASICs als System-in-Package-(SIP)-Lösung. Die
Mobile-DDRx32-Bausteine werden bereits als Entwicklungsmuster ausgeliefert.

Samsung Electronics