Spansion beschleunigt den Umstieg auf 110-nm-Produkte

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Sunnyvale, CA, 18. Mai 2004 – Spansion, der weltweit

führende Hersteller von NOR Flash-Speichern, gab heute den
Beginn der Serienproduktion zweier zusätzlicher Flash-
Speicherfamilien in 110-nm-Floating-Gate-Technologie
bekannt. Die neuen Speicherprodukte werden der Nachfrage
von AMDs und Fujitsus Kunden nach Lösungen gerecht, mit
denen sich das Preis-/Leistungs-Verhältnis vorhandener
Wireless-Designs verbessern lässt.

Bei den neuen Flash-Speicherfamilien S29WS-J und S29NS-J
handelt es sich um hochleistungsfähige 1,8-V-Lösungen mit
vollem Funktionsumfang, die bei modernen Designs den
schnellen Umstieg von der 130- auf die 110-nm-Floating-Gate-
Technologie ermöglichen. Um möglichst viele Produkte
unterstützen zu können stehen beide Speicherfamilien mit
Kapazitäten von 128 und 64 MBit, mit Burst-Mode-
Schnittstellen für hohe Frequenzen sowie für simultane Lese-
/Schreib-Operationen zur Verfügung. Beide Flash-
Speicherfamilien gibt es in Single-Die- und in Multi-Chip-
Gehäusen (MCP).

“Unsere Kunden stehen unter enormem Druck und müssen
stets mehr Funktionen und höhere Leistungen in Telefonen für
künftige und etablierte Märkte unterbringen,” so Amir
Mashkoori, Group Vice President und General Manager von
Spansions Wireless Business Unit. “Eine möglichst schnelle
Verbesserung des Preis-/Leistungs-Verhältnisses bei Speichern
ist entscheidend für den Erfolg. Um dieser dringenden
Notwendigkeit gerecht zu werden haben wir die 110-nm-
Floating-Gate-Technologie qualifiziert und die Produktion von
drei ausgewählten Produktfamilien – unser komplettes, auf
drahtlose Anwendungen optimiertes Portfolio – in weniger als
sechs Monaten hochgefahren. Als Ergebnis bietet Spansion das,
was kein anderer Hersteller kann – ein Produktportfolio mit
vollem Funktionsumfang und Strukturen unter 130 nm, das
sämtliche Anforderungen von Herstellern drahtloser Systeme
abdeckt.”

Spansion ist der einzige Hersteller, der ein Portfolio an 1,8- und
3-V-Flash-Speicher in NOR-Konfiguration anbietet, die für
drahtlose Systeme geeignet sind und mit Siliziumgeometrien
unter 130 nm gefertigt werden. Die Spansion™110-nm-
Floating-Gate-Technologie, die im Halbleiterwerk in Austin, Fab
25, über 50 Prozent der gesamten Fertigungskapazität
einnimmt, ermöglicht gegenüber vorhandenen
Speicherprodukten in 130-nm-Floating-Gate-Technologie
höhere Fertigungskapazitäten und eine verbesserte
Kostenstruktur. Die 110-nm-Floating-Gate-Technologie kommt
auch in Spansions 3-V-Page-Mode-Familie S29PL-J zum
Einsatz. Diese wurden vor kurzem angekündigt.

Die Flash-Speicherfamilie S29WS-J ist mit dem robusten
“Advanced-Sector-Protection”-Schutzsystem ausgestattet und
unterstützt Wireless Basisband-Chipsätze gemäß Industrie-
Standard mit separaten Adress- und Daten-I/O-Leitungen. Die
Flash-Speicherfamilie S29NS-J vereinfacht aufgrund ihrer
reduzierten Pin-Anzahl das Board-Layout und verfügt über
einen I/O-Bus, der Adress- und Datensignale im Multiplex-
Verfahren überträgt und mit kompatiblen Basisband-Chipsätzen
zusammenarbeitet.

Spansion hat sein Wireless-Produktportfolio entwickelt, um
Designern zu helfen, die Vorteile künftiger Technologien und
die damit verbundenen Kosteneinsparungen voll
auszuschöpfen. Beide neuen Flash-Speicherfamilien werden in
Floating-Gate-Technologie hergestellt und ermöglichen klar
definierte, anschlusskompatible Migrationspfade auf künftige
Produkte mit MirrorBit™-Technologie der zweiten Generation
und mit Strukturen von 110 nm.

Die Spansion-Produktfamilien S29NS-J und S29WS-J sind
bereits als Muster erhältlich und werden gerade in die
Serienproduktion überführt. Die 128- und 64-MBit-Flash-
Speicherbausteine kosten 12 US-$ bzw. 7 US-$ (10.000-er
Stückzahlpreise).

AMD