Intel bringt ersten 90nm Multi-Level-Cell NOR Flash-Speicher speziell für Multimedia-Handys auf den Markt

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Feldkirchen / Santa Clara, 17. November 2005 – Intel liefert die ersten 90 Nanometer (nm) Multi-Level Cell (MLC) NOR Flash-Speicher aus. Der neue Intel StrataFlash® Cellular Memory (M18) ist leistungsfähiger, verfügt über eine höhere Speicherdichte und benötigt weniger Strom als sein 130 Nanometer-Vorgängerchip. Mit diesem Produkt begegnet Intel der steigenden Nachfrage nach Mobiltelefonen mit Kamera, Farbdisplay, Videofunktionen und Webzugang.

“Flash-Speicher sind eine Schlüsseltechnologie für die Entwicklung neuer Mobilfunk-Anwendungen”, sagt Darin Billerbeck, Vice President und General Manager der Intel Flash Products Group. “Der M18 bietet Entwicklern von Mobiltelefonen die richtige Kombination aus Performance, Speicherdichte und geringerem Stromverbrauch, die heutige Handys benötigen. Darüber hinaus kombiniert er erstmals die bewährte und kostengünstige MLC-Technologie, die mittlerweile fünf Generationen umspannt, mit dem 90nm-Fertigungsverfahren von Intel.”

Der M18 erreicht die derzeit schnellste Lesegeschwindigkeit und ist in der Lage, mit Busfrequenzen bis zu 133 MHz zu arbeiten. Das entspricht den Busfrequenzen von aktuellen Mobilfunkchips. Damit lassen sich Anwendungen schneller ausführen, da Chipsatz und Speicher schneller interagieren als beim Vorgängermodell. Mit Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 0,5 MB pro Sekunde ist der M18 für Kameras mit einer Auflösung von bis zu drei Megapixel ebenso geeignet wie für die Wiedergabe von MPEG4-Videodateien.

Der M18 ist zudem in etwa einem Drittel der Zeit programmiert wie der 130 nm Flash-Chip und reduziert somit die Produktionskosten der Gerätehersteller. Der M18 benötigt zudem auch nur ein Drittel soviel Strom zur Programmierung und benötigt nur halb so viel Strom für Löschvorgänge. Gemeinsam mit dem neuen Deep Power Down-Betriebsmodus führt dies zu insgesamt längeren Akkulaufzeiten.

Darüber hinaus ermöglicht der M18 eine höhere NOR-Flash-Speicherdichte: Neben Single-Chip-Lösungen mit 256 Megabit (Mb) und 512 Mb können auch mehrere Chips in so genannten “Stacked Package”-Lösungen auf bis zu 1 Gigabit gestapelt werden. Intels Stacked-Speicherlösungen kombinieren NOR- und RAM-Speicher mit mehreren Busarchitekturen. Gerätehersteller sind so flexibler im Einkauf und können Geräte schneller auf den Markt bringen.

Intel arbeitet mit Anbietern aus verschiedenen Bereichen der Mobilfunkbranche zusammen, um die Integrationszeiten zu verkürzen, die Leistung von Produkten zu erhöhen und Referenzplattformen zu optimieren. Darunter sind Anbieter von Mobilfunkchips wie ADI, Philips, Infineon und MediaTek sowie Betriebssystem-Anbieter wie Symbian und MontaVista. Damit stellt Intel sicher, dass die Produkte dieser Anbieter mit der 90nm M18-Produktfamilie kompatibel sind. Intel konnte bereits acht Handy-Herstellern von den neuen Flash-Speichern überzeugen, darunter NEC und Sony Ericsson.

“Mit seiner Leistungsfähigkeit, der hohen Dichte und dem großartigen Preis-Leistungsverhältnis ist der Intel StrataFlash Cellular Memory M18 der ideale Speicherchip für die multifunktionalen Multimedia-Handys von Sony Ericsson”, kommentiert Peter Carlsson, Vice President und Head of Sourcing bei Sony Ericsson.

Intel Flash Data Integrator (Intel® FDI)-Software
Intel unterstützt Designer darüber hinaus mit der neuen Version der Intel Flash Data Integrator (Intel® FDI)-Software bei der Entwicklung neuer Mobiltelefone. Intel FDI 7.1 bietet eine offene Architektur für die einfache Integration von Flash-Datensystemen mit Echtzeit-Betriebssystemen. Die neue Version unterstützt USB-Datenträger, Multi-Volumes und RAM-Pufferspeicher. Diese Software steht Intel-Kunden kostenlos zur Verfügung.