Prozessorhersteller AMD testet offenbar die Möglichkeit, den integrierten Pufferspeicher seiner CPUs durch die Z-RAM Technik deutlich zu vergrößern. Dazu wurde eine Technologielizenz von dem in der Schweiz gegründeten Unternehmen Innovative Silicon Inc. (ISI) erworben. Z-RAM (Zero capacitor DRAM) besitzt eine fünfmal höhere Dichte als normales SRAM und immerhin noch die doppelte Dichte von Embedded DRAM.
Z-RAM passt technisch sehr gut zu AMD, denn dieses basiert auf der Silicon-On-Insulator (SOI) Produktionstechnik, die auch AMD für seine Prozessoren einsetzt.
Durch die höhere Speicherdichte von Z-RAM kann zum Einen größerer Cache in die CPUs integriert werden und andererseits die Chipfläche verkleinert werden. AMDs Entwicklungschef Craig Sander sagte dazu: “Das würde gleichzeitig die Performance verbessern und den Stromverbrauch im I/O-Bereich senken.”
Außerdem ist Z-RAM nach Angaben von ISI in den meisten Fällen günstiger als Speicher aus herkömmlichem Silizium.
Laut Sander muss AMD jetzt sicherstellen, dass sich die Z-RAM Technik auch in der Praxis bewährt. Außerdem wird geprüft, wie gut diese skaliert. Man werde dazu im Werk in Dresden einige Testchips in 90nm- und 65nm-Technik fertigen.
Craig Sander wollte sich deshalb auch noch nicht dazu äußern, wie schnell Z-RAM in die Massenproduktion integriert wird und ob dies bereits für die in diesem Jahr geplante Fertigung in 65nm Technik vorgesehen ist.
Quelle: EE Times
Neueste Kommentare
8. November 2024
7. November 2024
4. November 2024
29. Oktober 2024
24. Oktober 2024
21. Oktober 2024