Samsung stellt mit PRAM die nächste Generation nichtflüchtiger Memories vor

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 11. September 2006 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, stellte heute auf seiner sechsten jährlichen Pressekonferenz in Seoul, Korea, den ersten funktionsfähigen Prototyp eines PRAMs (Phase-Change Random Access Memory) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit vor. Das Unternehmen geht davon aus, dass sich PRAMs im kommenden Jahrzehnt fest im Market etablieren und High-Density NOR-Flash-Memories ablösen werden.

PRAMs sind besser skalierbar als alle anderen erforschten Speicherarchitekturen und bieten die hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit von RAMs in Verbindung mit den nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Memories. Sie tragen daher den Spitznamen „perfect RAM“.

Ein wesentlicher Vorteil von PRAMs ist ihre extrem hohe Performance. Da sich PRAMs neu beschreiben lassen, ohne dabei die bisher akkumulierten Daten zuerst löschen zu müssen, erzielen diese Speichertypen gegenüber herkömmlichen Flash-Memories die 30-fache Geschwindigkeit. PRAMs sind darüber hinaus äußerst langlebig und versprechen mindestens die 10-fache Lebensdauer von Flash-Memories.

Die ersten PRAMs sollen 2008 auf den Markt kommen. Sie repräsentieren eine sehr wettbewerbsfähige Alternative zu NOR-Flash-Memories. Die Zellen von Samsungs PRAMs sind nur halb so groß wie NOR-Flash-Zellen. Außerdem werden zur Herstellung von PRAMs 20% weniger Prozessschritte benötigt als bei NOR-Flash-Memories.

Bei seinen neuen PRAMs verwendet Samsung vertikale Dioden zusammen mit dreidimensionalen Transistorstrukturen, die heute zur Herstellung von DRAMs genutzt werden. Von allen Memorytypen, die heute im Einsatz sind, haben PRAMs mit 0,0467 µm2 die kleinste Zellenfläche, sind frei von Rauschen zwischen den Speicherzellen und lassen sich fast unbegrenzt skalieren.

PRAMs dürften vor allem in künftigen Multifunktions-Mobiltelefonen sowie in anderen tragbaren Applikationen eingesetzt werden, bei denen sich durch höhere Geschwindigkeiten spürbare Leistungssteigerungen erzielen lassen. Zunächst sollen High-Density-Versionen der neuen PRAMs mit Speicherkapazitäten ab 512 MBit hergestellt werden.