Samsung bemustert 16-GBit NAND-Flash-Memory in 50-nm-Technologie für Solid-State-Disk- und andere High-Density Speicher-Applikationen

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 3. Januar 2007 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Kundenbemusterung seines 16-GBit-NAND-Flash-Memories begonnen. Das neue Bauteil ist das erste NAND-Flash-Memory, das mit einer 50nm Prozesstechnologie hergestellt wird.

Die ersten Muster dieses High-Density NAND-Flash-Memories basieren auf einem Multi-Level Cell Design (MLC) mit einer Page-Größe von 4 KByte (KB) zur Verbesserung der Lese- und Schreib-Eigenschaften. Verglichen mit dem herkömmlichen 2-KB-Paging-System für MLC NAND-Flash-Speicher lässt sich mit der neuen Page-Größe von 4 KB die doppelte Lesegeschwindigkeit sowie eine 150% höhere Schreibgeschwindigkeit erzielen.

Aufgrund der fast verdoppelten Gesamt-Performance von Samsungs MLC NAND-Flash-Memory und der damit verbundenen höheren Datenübertragungsgeschwindigkeit können Benutzer von Mobilgeräten, die mit externen Speicherkarten arbeiten oder Mobiltelefone mit einer eingebauten Flash-Lösung wie Samsungs moviNAND(TM) einsetzen, große Dateien schneller als bisher speichern oder lesen.

Es wird erwartet, dass die frühe Markteinführung von NAND-Flash-Memories mit 16 GBit oder höheren Speicherkapazitäten die Entwicklung nichtflüchtiger Memory-Applikationen wie Flash-basierte Solid State Disks beschleunigt.

Samsung will mit der Massenproduktion seines 16-GBit-NAND-Flash-Memories in 50-nm-Technologie planmäßig im ersten Quartal 2007 beginnen.