Samsung bemustert die industrieweit kleinsten 2-Gigabit-DDR3-Speicher mit einer Energieersparnis von über 40 % für Server und PC

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea – 29. September 2008 – Samsung Electronics Co., Ltd., das

weltweit führende Unternehmen in fortschrittlicher Speichertechnologie, gab
heute bekannt, dass es die industrieweit kleinsten 2-Gb-DDR3-Speicher als
Muster zur Verfügung stellt. Durch Einsatz der
50-Nanometer-Schaltkreistechnik ist die Produktivität der neuen Speicher 60
% höher als bei DDR2-Speichern mit vergleichbarer Speicherdichte. Die neuen
2-Gb-Module auf DDR3-Basis, die den Einsatz von bis zu
16-Gigabyte(GB)-RIMMs (registered in-line memory modules) ermöglichen,
sparen über 40 % der Leistungsaufnahme von 1-Gb-DDR3-Speichermodulen.

“Mit unseren neuen 2-Gb-DDR3-Komponenten bietet Samsung die perfekte Lösung
für Konstrukteure. Unser Ziel war die Maximierung von Dichte und
Energieeinsparung”, sagte Gerd Schauss, Direktor für
Halbleiter-Speichermarketing bei Samsung Semiconductor Europe.

Der kleine Formfaktor des neuen Speichers ermöglicht die Verwendung von
Speicherchips von bis zu 8 GB für RIMMs (registered in-line memory modules)
sowie 4 GB für SODIMMs (small outline dual in-line memory modules) und
UDIMMs (unregistered in-line memory modules), ohne die Notwendigkeit,
Komponenten stapeln zu müssen. Zusätzlich können 2-Gb-DDR3-RIMMs genutzt
werden, um mithilfe von sogenannten Dual-Die-Packages 16-GB-Module
herzustellen.

Die monolithischen 2-Gb-Chips bieten energieeffiziente Lösungen für
leistungsstarke Speicheranwendungen mit hohem Speicherbedarf. Der 2-Gb-Chip
ersetzt sogenannte Dual-Chip-Lösungen mit zwei 1-Gb-Speichern und reduziert
die Leistungsaufnahme um mindestens 40 %, ein entscheidender Vorteil für
Server-Anwendungen sowie für Desktop PCs und Notebooks der nächsten
Generation. Der 2-Gb-Speicher unterstützt eine Übertragungsrate von bis zu
1,3 Gigabit pro Sekunde (Gbps) bei 1,5 oder 1,35 V, das ist bis zu 1,6 mal
schneller als bei einem 1-Gb-Dual-Die-Package mit 800 Mbps. Zusätzlich
sorgt die geringere Zahl von DDR3-Chips für eine geringere Wärmeentwicklung.

Das 50-Nanometer-Verfahren für die Herstellung von 2-Gb-DDR3-Speichern von
Samsung wird voraussichtlich Samsungs bevorzugte Prozesstechnologie bei der
Herstellung von DRAM Speichern im kommenden Jahr sein. Die Massenfertigung
soll Ende des Jahres beginnen.

Samsungs Erfahrung bei der Innovation von DRAM-Technologien reicht von der
Einführung der 150-Nanometer-DRAM-Technologie im Jahr 2000 bis zur
Massenfertigung von 1-Gb-DDR2-Speichern mit 50-Nanometer-Prozesstechnologie
im April dieses Jahres.

Nach Angaben des Marktforschungsunternehmens IDC werden DDR3-Speicher
voraussichtlich 29 % des gesamten DRAM-Marktes abdecken, was die Anzahl
verkaufter Einheiten betrifft, und bis 2011 einen Marktanteil von 72 %
erreichen. Außerdem wird das Segment der 2-Gb-Speicher voraussichtlich von
3 % im Jahr 2009 auf 33 % im Jahr 2011 wachsen.