Intel schließt 32nm-Prozessentwicklung erfolgreich ab

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Feldkirchen, 10. Dezember 2008 – Intel hat die Entwicklungsphase seiner nächsten Fertigungsprozess-Generation erfolgreich abgeschlossen. Die Größe der Transistoren auf dem Chip wird hierbei weiter auf nun mehr 32nm (1nm = 1 Milliardstel Meter) „geschrumpft“. Das Unternehmen liegt zeitlich auf Kurs, so dass Stand heute die Produktion der künftigen Prozessorgeneration wie geplant im vierten Quartal 2009 starten kann. Die zum Einsatz kommenden Transistoren werden sich durch noch höhere Energieeffizienz und Dichte sowie weiter gesteigerte Leistungsfähigkeit auszeichnen.

Die Prozessoren auf Basis des 32nm-Herstellungsverfahrens werden mit der zweiten Generation der High-k und Metal Gate Transistor-Technologie gefertigt. Dabei verwendet Intel die 193nm-Immersionslithographie für die kritischen Schichten auf dem Chip sowie eine verbesserte Transistor-Strain Technik. Bei dieser wird das natürliche Kristallgitter des Siliziums künstlich „gestreckt“, was die Beweglichkeit der Ladungsträger steigert und so der Transistor schneller schaltet. Auf diese Weise lassen sich die Leistungsfähigkeit wie auch die Energieffizienz der auf 32nm-Technologie basierten Prozessoren entscheidend optimieren. Stand heute sind 32nm Intel Prozessoren hinsichtlich Performance und Transistordichte industrieweit konkurrenzlos.

Tick-Tock Modell das vierte Jahr in Folge erfolgreich umgesetzt
Mit den Entwicklungsergebnissen und dem Produktionsstart der 32nm Prozessoren im kommenden Jahr untermauert Intel erneut seine ehrgeizige Produkt- und Fertigungsstrategie: das Tick-Tock Modell. Dieses industrieweit einzigartige Konzept beschreibt den jährlichen Wechsel von neuer Prozessor-Architektur und Strukturverkleinerungen bei der Fertigung. Mit der Einführung des 32nm Herstellungsverfahrens im Jahr 2009 wird Intel diese Strategie das vierte Jahr in Folge erfolgreich umsetzen.

Weitere Details zur 32nm-Technik wird Intel kommende Woche vom 15. bis 17. Dezember auf der IEDM (International Electron Devices Meeting) in San Francisco bekannt geben.