Samsung entwickelt „Green DDR3 DRAM“ in 30nm-Prozesstechnologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 1. Februar 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer

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bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, gibt bekannt, dass sein
neuer, branchenweit erster 2Gb (Gigabit) DRAM in 30nm-Technologie die
Evaluierung bei Kunden mit Erfolg bestanden hat. DDR3 SDRAM wird sich
bereits im laufenden Quartal zum industrieweit bevorzugten Hauptspeicher
entwickeln. Vor diesem Hintergrund wird Samsung durch die ehrgeizige
Weiterentwicklung seiner Prozesstechnologie die Produktivität weiter
steigern und die Verbreitung leistungsfähiger 1,5- und 1,35V-DDR3-Speicher
für Server, Desktop-PCs und Notebooks beschleunigen.

„Durch die Entwicklung von 30nm-DRAM der nächsten Generation, die wir mit
Nachdruck vorantreiben, werden wir auch künftig die führende Position auf
dem Speichermarkt beanspruchen“, sagt Soo-In Cho, Präsident, Memory
Division, Samsung Electronics.

Soo-In Cho weiter: „Unsere 30nm-Prozesstechnologie ermöglicht die
Produktion der innovativsten und energieeffizientesten DDR3-Speicher, die
heute für Desktops, Notebooks und Server angeboten werden.“

Durch den Einsatz des 30nm-Prozesses in der Massenproduktion von
DDR3-Speichern lässt sich die Produktivität gegenüber der
40nm-Prozesstechnologie um 60 Prozent steigern. Verglichen mit DRAMs, die
in 50- bis 60nm-Technologien gefertigt werden, ergibt sich beim
30nm-Prozess eine doppelt so hohe Kosteneffizienz.

Das in 30nm-Technologie hergestellte 2Gb „Green DRAM“ reduziert den
Stromverbrauch um bis zu 30 Prozent gegenüber 50nm-DRAMs. Ein 4GB
(Gigabyte) Modul mit 30nm-Technologie verbraucht in einem Notebook der
neuesten Generation nur 3W pro Stunde. Dies entspricht in etwa nur 3
Prozent des gesamten Leistungsverbrauchs eines Notebooks.

Die neuen DDR3-Speicher werden in einem breiten Produktspektrum eingesetzt,
angefangen bei Servern und Notebooks über Desktop-PCs bis hin zu kommenden
Versionen von Netbooks und Mobilgeräten.

Die Massenproduktion des neuen 30nm-DDR3-Speichers soll in der zweiten
Jahreshälfte beginnen.