ARM und GLOBALFOUNDRIES arbeiten gemeinsam an Chips der nächsten Generation in 20nm und FinFET Technologien

Zusammenarbeit will Systemleistung und Energieeffizienz mobiler Anwendungen weiter verbessern

(Auszug aus der Pressemitteilung)

MILPITAS, Calif. und CAMBRIDGE, UK, 13. August 2012 – GLOBALFOUNDRIES und ARM haben heute bekanntgegeben, dass die beiden Unternehmen ein mehrjähriges Abkommen zur gemeinsamen Entwicklung von System-on-Chips Lösungen (SoC) für ARM® Prozessor Designs geschlossen haben, die auf 20nm und FinFET Prozesstechnologien von GLOBALFOUNDRIES basiert. Durch diese Vereinbarung wird gleichzeitig die langjährige Zusammenarbeit durch die Einbindung von Grafikprozessoren erweitert. Diese spielen bei mobilen Geräten eine zunehmend wichtige Rolle. Im Rahmen des Abkommens wird ARM eine vollständige ARM® Artisan® Physical IP Plattform mit Standardzellen-Bibliotheken, Memory Compiler und POP™ IP-Lösungen entwickeln. Diese Entwicklung soll dazu beitragen, dass mobile Anwendungen wie Smartphones, Tablets und ultradünne Notebooks eine bessere Systemleistung und Energieeffizienz erreichen.

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Die beiden Unternehmen arbeiten bereits seit mehreren Jahren an der Optimierung von ARM® Cortex™ Prozessoren der A-Serie und konnten dabei deutliche Performance- und Energieeffizienzvorteile sowohl in der 28nm Technologie als auch bei Testchips in 20nm nachweisen. Diese Testchips durchlaufen derzeit die GLOBALFOUNDRIES Fab in Malta im Bundesstaat New York. Die neue Vereinbarung führt die Zusammenarbeit bei der Entwicklung von Produktions-IP-Plattformen fort, die Kundendesigns in 20nm Technologie ermöglichen, und befördert einen zügigen Übergang in die dreidimensionale FinFET-Transistortechnologie. Dadurch können Kunden ihre SoC-Lösungen mit mobilen CPU- und GPU-Prozessoren von ARM schneller zur Marktreife bringen.

GLOBALFOUNDRIES plant die Entwicklung einer optimierten Implentierungs- und Benchmarkanalyse für zukünftige energieeffiziente ARM Cortex™ Prozessoren sowie ARM Mali™ GPU Technologien, um so kundenspezifische SoCs Designs, die die jeweiligen Technologien nutzen, zu beschleunigen. Die umfassende ARM Artisan Physical IP Plattform für GLOBALFOUNDRIES 20nm LPM Technologie sowie FinFET Prozesse und POP IP bilden wesentliche IP Blöcke für SoC-Designer. Diese neue Entwicklung baut auf den existierenden Artisan Physical IP Plattformen für zahlreiche GLOBALFOUNDRIES Prozesstechnologien, einschließlich der 65, 55 und 28nm Technologien, sowie auf der vorhandenen Cortex-A9 POP Technologie für 28nm Super Low Power (SLP) auf, die zur Lizensierung durch ARM zur Verfügung stehen.

„Dieses frühe Engagement fördert die schnelle Einführung von ARM und GLOBALFOUNDRIES Technologien in zukünftige SoCs für mehrere wichtige Marktsegmente“, sagte Simon Segars, Executive Vice President und General Manager Processor and Physical IP Divisions bei ARM. „Kunden, die für mobile Anwendungen, Tablets und Computing entwickeln, werden stark von den energieeffizienten ARM Prozessoren und Grafikprozessoren profitieren, die im Rahmen dieser Zusammenarbeit entstehen. Durch die enge Zusammenarbeit bei der Entwicklung von zukünftigen 20nm-LPM und FinFET Prozesstechnologien erhalten unsere gemeinsame Kunden eine Reihe von weiteren Entwicklungsoptionen für die nächsten beiden Technologiegenerationen.“

ARM POP Technologie beschleunigt das sogenannte „Core Hardening“ für CPUs der ARM’s Cortex-A Serie mit exzellenten Ergebnissen hinsichtlich der Prozessorgeschwindigkeit, Leistungsaufnahme und Chipfläche. POP IP Angebote bestehen aus drei wichtigen Elementen, die für die erfolgreiche Implementierung von ARM Cores erforderlich sind:

  1. Artisan physical IP Standardzellen-Bibliotheken sowie Cache-Speicherzellen, die gezielt auf ARM Prozessoren und Foundrytechnologie abgestimmt sind;
  2. einem umfangreichen Benchmarkreport, der die exakten Umstände und Ergebnisse dokumentiert, die ARM bei der Implementierung von Prozessoren unter unterschiedlichen Konfigurationen und Entwicklungsvorgaben erzielt hat;
  3. einer detaillierte Umsetzungsanleitung mit Bauplänen, Hilfsroutinen, Designvorlagen und einem POP Implementation Guide, der es Endkunden ermöglicht, ähnliche Ergebnisse schnell und mit geringem Risiko zu erreichen.

Die GLOBALFOUNDRIES 20nm LPM Technologie ist eine umfassende und kosteneffiziente Plattform, die eine bis zu 40 Prozent erhöhte Leistungsfähigkeit bei doppelter Gate-Dichte gegenüber der 28nm Technologie aufweist. Da die 20nm LPM Technologie über ein breites Spektrum an Transistoreigenschaften verfügt, ist sie universell einsetzbar und bedient unterschiedliche großvolumige Marktsegmente, die sowohl energieeffiziente als auch leistungsstarke Lösungen fordern. Durch die lineare Skalierung von 28nm auf 20nm bei Transistorabmessungen und Metallisierung werden die 20nm LPM Anwendungen sehr wettbewerbsfähig.

Die Zusammenarbeit umfasst auch GLOBALFOUNDRIES FinFET-basierte Prozesstechnologie. Durch die sehr frühe Zusammenarbeit bei dieser Technologie werden die Partner gemeinsam sowohl die Physical IP als auch die Prozesstechnologie aufeinander abstimmen und damit einen zügigen Übergang von 20nm LPM auf FinFET ermöglichen. Dadurch werden eine ganze Reihe von Implementierungslösungen schneller und mit geringem Risiko zur Verfügung stehen.

„ARM Technologielösungen bilden das Herzstück vieler Produkte mit hohen Stückzahlen, und wir sind überzeugt, dass deren Bedeutung für unsere Kunden auf Jahre hinaus weiter zunehmen wird“, sagte Mike Noonen, Executive Vice President Worldwide Marketing and Sales bei GLOBALFOUNDRIES. „Durch die Anwendung unserer Erfahrungen in der Technologieimplementierung bei zukünftigen, energieeffizienten ARM Prozessoren und Grafikprozessoreinheiten können wir unseren gemeinsamen Kunden ein überzeugendes Alleinstellungsmerkmal anbieten, das Innovationen über die nächsten beiden Technologiegenerationen antreiben wird.“